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102S41N681KV4E 发布时间 时间:2025/6/4 12:59:40 查看 阅读:6

102S41N681KV4E 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和逆变器等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频工作条件下提供高效的性能。
  该芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET,适用于需要高效功率转换的应用场景。其封装形式通常为表面贴装类型,便于自动化生产和散热管理。

参数

最大漏源电压:680V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻:0.4Ω
  栅极电荷:50nC
  开关频率:高达 100kHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

102S41N681KV4E 具有以下显著特性:
  1. 高耐压能力:能够承受高达 680V 的漏源电压,适合高压应用环境。
  2. 低导通电阻:在典型工作条件下,导通电阻仅为 0.4Ω,有助于降低功耗。
  3. 快速开关性能:具备较低的栅极电荷和输出电荷,支持高频操作,减少开关损耗。
  4. 宽工作温度范围:能够在极端温度环境下稳定工作,适应工业级和汽车级应用场景。
  5. 小型化封装:采用紧凑的表面贴装封装设计,简化了 PCB 布局并提高了生产效率。

应用

102S41N681KV4E 广泛应用于多种领域:
  1. 开关电源:包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的主开关管。
  2. 电机驱动:用于无刷直流电机(BLDC)和其他类型电机的驱动电路。
  3. 逆变器:光伏逆变器和 UPS 系统中的关键元件。
  4. 电动工具:提供高效功率输出以满足高性能电动工具的需求。
  5. 汽车电子:应用于车载充电器、电子助力转向系统等汽车相关设备中。

替代型号

IRF7414
  STP10NK60Z
  FDP15N60C

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102S41N681KV4E参数

  • 产品培训模块MLCC BasicsHigh Voltage PCB Design
  • 标准包装1
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列-
  • 电容680pF
  • 电压 - 额定1000V(1kV)
  • 容差±10%
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用通用
  • 额定值-
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 尺寸/尺寸0.125" L x 0.095" W(3.18mm x 2.41mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.080"(2.03mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高电压
  • 包装Digi-Reel®
  • 引线型-
  • 其它名称709-1038-6