时间：2025/7/5 1:03:05
阅读：8
101X15N100MV4E 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，专为高电压和高效率应用场景设计。该芯片具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热稳定性，适用于各种电力电子设备，如开关电源、电机驱动器、逆变器等。其封装形式通常为 TO-247 或其他功率封装，能够有效提升系统的整体性能。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：15A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：80nC
开关时间：开启时间 25ns，关断时间 30ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
101X15N100MV4E 芯片采用了先进的制造工艺，具备以下显著特点：
1. 低导通电阻：其导通电阻仅为 4mΩ，可有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力：栅极电荷较小（80nC），确保了快速的开关速度，减少开关损耗。
3. 高温适应性：工作温度范围可达 -55℃ 至 +175℃，能够在极端环境下保持稳定运行。
4. 强大的散热性能：采用大功率封装，结合高效的热传导设计，进一步优化了散热效果。
5. 高可靠性：通过严格的测试和筛选流程，保证了器件在长期使用中的高可靠性。
该芯片广泛应用于多个领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源：用于 DC-DC 转换器或 AC-DC 适配器中，提供高效且稳定的电源管理。
2. 电机驱动：作为功率级元件，控制直流无刷电机或其他类型电机的运行状态。
3. 逆变器：用于太阳能逆变器或 UPS 系统，实现能量转换与管理。
4. 工业自动化：支持工业控制设备中的功率调节和信号切换功能。
5. 汽车电子：应用于车载充电器、电动车驱动系统以及其他汽车相关设备。
101X15N100MV4D, IRF1404, FDP15N10
