类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：70A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 0.016Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-220

100C70B MOSFET 具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在高电流应用中，低 Rds(on) 还有助于减少发热，提高整体可靠性。
　　其次，该器件的高漏源电压（100V）使其适用于中高压功率转换应用，例如工业电源、马达驱动器和 DC-DC 转换器。此外，其 ±20V 的栅源电压容限增强了其在高频开关应用中的稳定性，降低了栅极驱动电路的设计难度。
　　100C70B 采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，能够有效将热量传导至散热片或 PCB 上，从而延长器件寿命并提高系统稳定性。该器件的高电流承载能力（70A）使其能够应对高功率负载，适合用于需要高效率和高可靠性的电源系统。
　　另外，该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，具备良好的环境适应能力，适合在极端温度条件下工作，如工业自动化、汽车电子和户外电源系统。

100C70B MOSFET 主要用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统。其典型应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、马达控制器、电池管理系统（BMS）、UPS 电源、工业自动化设备以及太阳能逆变器等。
　　在 DC-DC 转换器中，100C70B 可作为主开关元件，提供高效率的能量转换，减少功率损耗。在马达控制系统中，它可用于 H 桥结构以控制马达的正反转，同时具备良好的过载和短路保护能力。
　　此外，该 MOSFET 在电池管理系统中可用作充放电开关，确保电池在安全范围内工作。其高耐压和大电流能力也使其成为 UPS 电源和不间断供电系统中的理想选择。
　　在太阳能逆变器中，100C70B 可用于 DC-AC 转换电路，实现高效的能量转换，同时具备良好的热稳定性和长期可靠性。

IRF1404, Si7454DP, FDP7454H, IPW90R015C7