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100AWSP3T1B4M2RE 发布时间 时间:2025/12/25 15:15:56 查看 阅读:18

100AWSP3T1B4M2RE 是由 Vishay Siliconix 生产的一款表面贴装瞬态电压抑制二极管阵列(TVS Diode Array),专为保护敏感电子设备免受瞬态电压事件(如静电放电 ESD、电快速瞬变脉冲群 EFT 和雷击感应浪涌)的影响而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有极低的电容、快速响应时间和高可靠性,适用于高速数据线和通信接口的过压保护。其封装形式为小型化的 SLP 封装(尺寸约为 1 mm x 0.6 mm x 0.5 mm),非常适合空间受限的便携式电子产品。100AWSP3T1B4M2RE 属于双向 TVS 阵列,内部集成了多个二极管结构,能够同时处理正向和负向的瞬态电压冲击,提供对地和电源轨之间的双向保护。该器件符合 RoHS 和无卤素要求,并满足 IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4 和 IEC 61000-4-5 等国际电磁兼容性标准,广泛应用于消费类电子、移动通信设备和工业控制领域。
  该型号命名中的 '100A' 表示其峰值脉冲功率为 100W,'WSP' 指代 Vishay 的特定产品系列,'3T' 表示三通道配置,'1B' 可能代表单个芯片上集成的电路拓扑结构,'4M2' 可能与封装或批次相关,'RE' 通常表示卷带包装。由于该器件属于高度集成的专用保护元件,其具体内部结构和电气特性需参考官方数据手册进行确认。在实际应用中,建议用户结合 PCB 布局优化、接地设计以及与其他保护元件的协同使用,以实现最佳的系统级防护性能。

参数

类型:瞬态电压抑制二极管阵列(TVS Array)
  通道数:3
  工作电压(VRWM):5.0 V
  击穿电压(VBR):6.7 V @ 1 mA
  钳位电压(VC):13.2 V @ IPP = 3.8 A
  峰值脉冲功率(PPPM):100 W
  反向漏电流(IR):≤ 1 μA
  电容值(Cj):典型值 15 pF @ 0 V
  ESD 耐受能力:±30 kV(接触放电,IEC 61000-4-2 Level 4)
  封装形式:SLP1006-3(1.0 mm x 0.6 mm)
  极性:双向
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

100AWSP3T1B4M2RE 具备卓越的瞬态电压抑制能力,能够在纳秒级别内响应高达 ±30 kV 的静电放电(ESD)事件,有效防止因人体接触或设备摩擦产生的高压脉冲击穿下游集成电路。其核心优势之一是极低的结电容(典型值仅为 15 pF),这一特性使其非常适合用于保护高速信号线路,例如 USB 2.0、HDMI、SD 卡接口、I2C、UART 和其他高频数据传输通道,不会因寄生电容引入信号失真或衰减,从而保证了信号完整性。此外,该器件采用双向设计,可在正负两个方向上提供对称的过压保护,适用于交流耦合或双极性信号路径的应用场景。
  该 TVS 阵列基于成熟的硅 PN 结工艺制造,具备优异的热稳定性和长期可靠性,在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内均可稳定工作,适应严苛的工业与车载环境。其 SLP1006-3 微型化封装不仅节省宝贵的 PCB 面积,还支持自动化贴片生产,提高了制造效率和良率。器件通过了 IEC 61000-4-2(ESD)、IEC 61000-4-4(EFT)和 IEC 61000-4-5(浪涌)等多项国际 EMC 标准认证,确保在复杂电磁环境中仍能提供可靠的防护。相比于传统的多层陶瓷电容器(MLCC)或聚合物 ESD 保护器,该硅基 TVS 具有更精确的触发电压、更低的残压和更强的能量吸收能力,能够在多次瞬态事件后保持性能不变,避免“老化失效”问题。整体而言,100AWSP3T1B4M2RE 是一种高性能、小体积、高可靠性的电路保护解决方案,特别适合现代高密度、高速度电子系统的 ESD 防护需求。

应用

100AWSP3T1B4M2RE 主要应用于需要高等级静电放电(ESD)保护的便携式电子设备和通信接口中。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备(如智能手表、TWS 耳机)中的 USB Type-C、Micro-USB、耳机插孔、SIM 卡槽、TF/SD 卡接口等高速数据端口的保护。在这些设备中,用户频繁插拔外设或直接触摸连接器,极易引入 ESD 脉冲,而该器件能够迅速泄放高达 100W 的瞬时能量,防止主控芯片、音频编解码器或电源管理单元受损。此外,它也广泛用于工业人机界面(HMI)、POS 终端、智能家居控制面板上的按钮、触摸屏信号线和串行通信总线(如 RS-485、CAN)的前端防护。
  在消费类电子产品中,随着数据传输速率不断提升(如 USB 2.0 High-Speed 达到 480 Mbps),传统保护元件往往因寄生电容过大导致信号完整性下降,而 100AWSP3T1B4M2RE 凭借其低至 15 pF 的电容特性,几乎不影响信号波形质量,因此成为高速接口的理想选择。在汽车电子领域,尽管其额定功率相对较小,但仍可用于非动力系统的低压信号线路保护,例如车载信息娱乐系统(IVI)的 AUX 输入、蓝牙模块天线接口或传感器信号调理电路。此外,该器件还可作为辅助保护元件,与更大的功率 TVS 或压敏电阻配合使用,构成多级保护架构,提升整个系统的抗扰度。总之,任何存在 ESD 风险且对空间和信号速度有要求的应用场合,都是 100AWSP3T1B4M2RE 的适用领域。

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100AWSP3T1B4M2RE参数

  • 产品培训模块Switch BasicsPower Switch Overview
  • 标准包装25
  • 类别开关
  • 家庭拨动开关
  • 系列100A
  • 电路单刀双掷
  • 开关功能开-关-开
  • 触点额定电压0.4VA @ 20VAC/DC
  • 触动器类型标准圆形
  • 触动器长度12.70mm
  • 发光不发光
  • 安装类型通孔
  • 端接类型PC 引脚
  • 轴衬螺纹无螺纹
  • 包装散装
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