时间：2025/8/30 22:42:24
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1.5SMC8.2AHR7G 是一款由 ON Semiconductor 生产的表面贴装（SMD）双向瞬态电压抑制二极管（TVS）。该器件专为保护敏感的电子设备免受静电放电（ESD）、浪涌电流和瞬态电压等高能量电瞬变的影响而设计。该器件采用 SMC（DO-214AB）封装，具备高可靠性、快速响应时间和低钳位电压等优点。1.5SMC8.2AHR7G 主要用于工业控制、通信设备、汽车电子和消费类电子产品中的电路保护。
类型：双向瞬态电压抑制二极管（TVS）
封装：SMC（DO-214AB）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
峰值脉冲电流（Ipp）：13.7 A（8/20 μs）
击穿电压（Vbr）：8.2 V（最小值）
钳位电压（Vc）：13.6 V
额定反向关态电压（Vrwm）：8.2 V
功率耗散（Peak Pulse Power）：1500 W
漏电流（Ir）：≤ 10 μA
响应时间：皮秒级
1.5SMC8.2AHR7G 具备一系列优异的电气和机械特性，适用于多种电子系统的保护需求。
首先，该器件具备高浪涌吸收能力，能够承受高达 1500 W 的峰值脉冲功率，从而有效保护后级电路免受高能瞬态电压的损害。这种高功率承受能力使其非常适合用于恶劣工业环境或高静电干扰场合。
其次，该TVS器件响应时间极短，通常在皮秒级别，能够在电压瞬变发生的瞬间迅速启动保护机制，防止电压尖峰对下游电子元件造成损坏。同时，其低钳位电压（13.6 V）确保了在保护过程中对被保护器件的电压应力最小化，提升系统可靠性。
此外，1.5SMC8.2AHR7G 采用 SMC 表面贴装封装，便于自动化生产，同时具备良好的热稳定性和机械强度，适用于高密度 PCB 设计。其工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C，适用于汽车电子、工业控制等严苛环境条件下的长期稳定运行。
最后，该器件的漏电流非常低（小于10μA），在正常工作状态下对系统功耗影响极小，适合对功耗敏感的应用场景。
1.5SMC8.2AHR7G 主要用于需要高可靠性电路保护的各类电子设备中。其典型应用包括电源输入保护、通信接口保护（如RS-485、CAN总线）、工业控制模块、传感器电路、消费类电子产品以及汽车电子系统中的瞬态电压防护。由于其双向保护特性，特别适用于交流信号线路或双向数据通信接口的保护设计。此外，在需要符合IEC 61000-4-2 ESD抗扰度标准的系统中，该器件可作为主保护元件使用，确保设备在高静电环境中仍能稳定运行。
1.5SMC8.2A, SMAJ8.2A, SMCJ8.2A
