类型：晶体振荡器（XO）
　　频率：8.000 MHz
　　输出类型：CMOS
　　供电电压：5V 或 3.3V（视具体版本而定）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　频率稳定性：±50 ppm（最大）
　　老化率：±5 ppm/年
　　上升时间：≤15 ns
　　下降时间：≤15 ns
　　占空比：45% / 55% 典型
　　相位抖动：典型值 < 1 ps RMS（12 kHz – 20 MHz）
　　封装类型：DIP-4（双列直插式）
　　安装方式：通孔（Through-Hole）
　　尺寸：约 9.5 mm × 4.5 mm × 3.5 mm

09ZR-8M-P的核心特性之一是其高频率稳定性与出色的温度适应能力。该振荡器在整个工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C）内能够保持±50 ppm以内的频率偏差，确保系统在极端环境条件下仍能维持精确的时序控制。这一性能对于工业控制系统、远程传感器节点和户外通信设备至关重要，因为这些应用场景经常面临较大的昼夜温差或季节性气候变化。此外，其老化率控制在±5 ppm/年以内，意味着即使在长时间运行后，频率漂移也非常小，减少了因时钟误差导致的数据传输失败或同步问题。
　　另一个关键特性是其CMOS输出驱动能力。该器件提供清晰的方波输出，上升和下降时间均不超过15 ns，在负载为15 pF || 500 Ω条件下表现优异。这种快速的边沿响应能力使其适用于高速数字系统，例如需要精确采样时钟的ADC/DAC模块或高速串行通信链路。CMOS输出还具有较低的功耗和较强的噪声抗扰度，能够在复杂的电磁环境中稳定工作。
　　09ZR-8M-P采用密封陶瓷DIP封装，具备优异的防潮性和机械强度，有效保护内部石英晶体免受外界物理冲击和化学腐蚀。这种封装形式不仅提高了产品的长期可靠性，也方便在传统生产线或手工装配中使用。同时，该器件具备快速启动能力，通常在上电后几毫秒内即可进入稳定振荡状态，满足对启动时间敏感的应用需求，如实时控制系统或冷启动恢复设备。
　　此外，该振荡器设计符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于全球范围内的电子产品制造。Microchip通过严格的生产流程控制和筛选测试，确保每一批次产品的一致性和可追溯性，进一步增强了客户对其在关键任务系统中使用的信心。

09ZR-8M-P广泛应用于需要高精度、高可靠时钟源的各类电子系统中。在通信领域，它常被用作路由器、交换机和基站设备中的主参考时钟，为PHY芯片、MAC控制器和定时同步模块提供稳定的8 MHz基准信号。其低相位噪声和良好稳定性有助于降低误码率，提升数据链路的整体性能。
　　在工业自动化方面，该振荡器用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和分布式I/O模块中，作为MCU或协处理器的系统时钟。由于工业环境存在振动、湿度变化和电源波动等问题，09ZR-8M-P的坚固封装和宽温特性使其成为理想选择。
　　在测试与测量仪器中，如示波器、频谱分析仪和函数发生器，该器件为内部数字处理单元提供精准的时间基准，确保采样时钟的准确性，从而提高测量结果的重复性和可信度。
　　此外，该振荡器也常见于医疗设备、航空航天地面支持设备以及铁路信号控制系统等对安全性要求较高的领域。其长期稳定性减少了定期校准的需求，降低了维护成本。在研发阶段，由于其DIP封装易于更换和调试，工程师常将其用于评估板、原型机和教学实验平台中进行功能验证和系统集成。

DS1001Z-8.000
　　XC7SOS8M000B1
　　ABM8-8.000MHz-B2
　　OSC3225-8.000MHZ