类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　导通电阻（RDS(on)）：5.3mΩ（典型值，VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：76nC
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：DFN5x6

SDA380FD 功率MOSFET采用了先进的TrenchFET技术，使其在同类产品中具备更低的导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。该器件的RDS(on)仅为5.3mΩ，在高电流应用中能够显著降低功耗，减少发热，提高整体系统的稳定性与可靠性。
　　此外，SDA380FD 采用DFN5x6封装，具有较小的封装尺寸，适用于空间受限的设计，同时该封装具备良好的热管理能力，能够有效散热，确保在高温环境下仍能稳定运行。该MOSFET的栅极电荷（Qg）为76nC，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能表现。
　　其工作温度范围为-55°C至175°C，适应多种复杂环境条件，广泛适用于汽车电子、工业控制和消费类电源系统。同时，该器件具备高耐压能力和良好的短路耐受性，增强了在严苛工作环境下的稳定性和安全性。

SDA380FD MOSFET主要应用于高效能电源系统，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、马达驱动器以及各类高电流电源管理电路。由于其低导通电阻和优异的热性能，该器件在服务器电源、通信设备电源模块以及汽车电子系统中得到了广泛应用。
　　在汽车电子领域，SDA380FD 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、车身控制模块（BCM）以及各类车载DC-DC变换器。其高可靠性和宽工作温度范围，使其在恶劣的汽车运行环境中仍能保持稳定性能。
　　在工业自动化和电机控制应用中，该MOSFET可用于高性能H桥驱动电路、智能功率模块（IPM）和工业伺服驱动器，提供高效、可靠的功率开关功能。

SiR340DP-T1-GE3, FDS4810S, IRF3710, IPB013N04NG