时间：2025/12/27 16:05:52
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08NR-D4K-P是一款由Vishay Semiconductor生产的表面贴装红外发射二极管，专为需要高输出光功率的通用红外应用而设计。该器件采用标准的0805尺寸封装（2.0 mm x 1.25 mm），具有紧凑的外形，适用于空间受限的应用场景。其发射波长峰值通常在940nm左右，属于近红外区域，与大多数硅基光电探测器和红外接收模块具有良好的光谱匹配性，确保高效的信号传输和接收。该器件具备高辐射强度和稳定的光输出性能，在连续工作和脉冲驱动模式下均表现出优异的可靠性。08NR-D4K-P广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中的红外遥控、数据传输和传感系统。该器件符合RoHS指令要求，并且不含卤素，满足现代电子产品对环保和可持续发展的要求。其封装材料具有良好的耐热性和抗湿性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适合自动化表面贴装工艺，如回流焊，便于大规模生产集成。
制造商：Vishay Semiconductor
产品系列：TSAL
类型：红外发射二极管
波长峰值：940 nm
正向电压（典型值）：1.35 V @ 100 mA
反向电压：5 V
最大正向电流：100 mA
最大功耗：150 mW
视角：±20°
封装/外壳：0805（2012公制）
工作温度范围：-40°C ~ +100°C
存储温度范围：-40°C ~ +100°C
辐射强度（最小值）：50 mW/sr @ 100 mA
脉冲正向电流：1 A（占空比1/10，0.1ms）
08NR-D4K-P的核心特性之一是其高辐射强度输出能力，这使其在低功耗条件下仍能实现远距离或高灵敏度的红外信号传输。在100mA的驱动电流下，其最小辐射强度可达50mW/sr，这一性能优于许多同类小型化红外LED，确保在遥控器、红外数据链路等应用中具备良好的信号穿透力和抗干扰能力。该器件采用GaAlAs（镓铝砷）材料体系制造，这种材料不仅提供了优异的量子效率，还增强了器件在高温环境下的稳定性。GaAlAs结构能够有效减少非辐射复合损耗，提高电光转换效率，从而降低系统整体功耗并延长电池寿命。
另一个关键特性是其优化的光学设计。08NR-D4K-P具有±20°的视角，属于中等窄束角设计，能够在保证一定覆盖范围的同时集中光能，提升单位立体角内的光功率密度。这种光束特性特别适用于需要定向传输的应用，例如红外遥控信号发送，避免能量浪费在无用方向，同时减少多路径反射带来的信号串扰。此外，其940nm的峰值波长几乎不可见，不会对用户造成视觉干扰，同时又能被标准红外接收头高效识别，实现了人机友好的隐蔽通信。
在封装方面，08NR-D4K-P采用表面贴装0805封装，体积小巧，适合高密度PCB布局。其环氧树脂封装不仅提供良好的机械保护，还具备优异的透红外性能和长期光衰稳定性。器件内部结构经过优化，提升了散热性能，有助于在连续工作时维持较低的结温，从而延长使用寿命并保持光输出一致性。此外，该器件支持高速脉冲调制，可用于红外数据通信协议如IrDA或自定义编码格式，响应时间快，开关特性优良，适合高频操作场景。
08NR-D4K-P广泛应用于各类需要红外发射功能的电子设备中。最常见的用途是作为红外遥控器的发射光源，用于电视、空调、音响等家用电器的无线控制信号发送。由于其高辐射强度和稳定的波长特性，能够确保遥控信号在复杂室内环境中可靠传输，即使在一定角度偏移或轻微遮挡的情况下仍能正常工作。此外，该器件也常用于短距离无线数据通信系统，如红外串行通信、智能设备配对或身份验证，特别是在不希望使用射频（RF）技术的场合，以避免电磁干扰或增强通信安全性。
在工业和安防领域，08NR-D4K-P可用于红外照明、光电传感器和物体检测系统。例如，在自动门感应器、液位检测或计数装置中，该LED可作为主动光源，配合光电接收器构成反射式或对射式检测回路。其快速响应能力使其适用于高速检测场景。在消费类电子产品中，该器件还可用于接近传感器、手势识别模块或自动亮度调节系统，通过检测人体或物体的红外反射信号来实现智能化交互。此外，由于其小型化和表面贴装特性，08NR-D4K-P非常适合便携式和可穿戴设备，如智能手表、无线耳机充电盒的状态指示或通信功能，满足现代电子产品对微型化和低功耗的需求。
