类型：光电晶体管输出光耦
　　通道数：1
　　输入正向电流（IF）：60 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出耐压（VCEO）：70 V
　　集电极电流（IC）：100 mA
　　隔离电压（Viso）：5300 Vrms
　　电流传输比（CTR）：50% ~ 600%
　　工作温度范围：-55°C ~ +110°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装类型：DIP-8
　　最大功耗（PD）：200 mW
　　响应时间（Turn-On / Turn-Off）：4 μs / 3 μs

08DS-8E光耦合器具备优异的电气隔离性能，其内部结构由一个砷化镓红外LED和一个硅基NPN光电晶体管组成，通过光信号实现电信号的传递，从而在输入和输出之间建立起高达5300 Vrms的隔离电压，有效防止高压窜入低压控制侧，保障系统和操作人员的安全。该器件的电流传输比（CTR）典型值可达50%至600%，保证了在较低输入电流下仍能驱动后级负载，提升了系统的能效和稳定性。
　　该光耦采用DIP-8封装，引脚配置标准，兼容自动化插件和回流焊接工艺，适合大规模生产应用。其宽工作温度范围（-55°C至+110°C）使其能够在极端环境条件下稳定运行，适用于工业自动化、电机驱动、开关电源反馈控制等场合。响应时间短（开通4μs，关断3μs），能够支持中高速信号传输，满足大多数数字隔离需求。
　　08DS-8E符合UL、cUL、VDE和CQC等多项国际安全认证，确保产品在医疗设备、电力仪表、PLC模块等高可靠性领域中的合规性。器件还具有良好的抗噪声能力和共模瞬态抗扰度（CMTI），可有效抑制地环路干扰和电磁脉冲影响。此外，其低输入驱动需求（典型IF=10mA即可饱和导通）使得它可以轻松与微控制器、逻辑门电路或传感器接口直接连接，无需额外驱动电路。
　　该光耦不具备内置施密特触发整形功能，因此在输入信号存在抖动或缓慢变化时可能需要外加滤波或迟滞电路以提高抗干扰能力。总体而言，08DS-8E是一款性价比高、性能稳定、应用广泛的通用型光耦，特别适用于对隔离性能有较高要求但不需要高速通信的工业和消费类电子产品中。

08DS-8E广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。常见用途包括开关电源的反馈回路隔离，用于将次级侧的电压调节信号安全地传递到初级侧控制器，防止高压反馈造成损坏。在工业控制系统中，它常被用于PLC输入/输出模块，实现现场设备与中央处理单元之间的信号隔离，提高系统抗干扰能力。此外，在电机驱动器、逆变器和UPS电源中，该光耦可用于隔离控制信号与功率桥驱动电路，确保控制逻辑不受功率回路噪声影响。
　　在通信接口中，如RS-232、RS-485隔离模块，08DS-8E可用来隔离数据线路，防止不同设备间因地电位差引起的电流环路问题。它也适用于家用电器中的微处理器与继电器或可控硅之间的隔离驱动，提升产品安全性。在测试测量仪器和医疗电子设备中，该器件帮助构建符合安全规范的隔离屏障，满足IEC 60601等标准对患者保护的要求。由于其高可靠性与长期稳定性，08DS-8E同样适合用于汽车电子辅助系统、智能电表和远程数据采集终端等长期运行的嵌入式设备中。

EL817, PC817, TLP521-1, K817, LTV-817