EC02-0603QRC/E-AV是一款由EPC(Efficient Power Conversion)公司生产的氮化镓场效应晶体管(GaN FET),型号为EPC2015C。该器件专为高效能功率转换应用设计,具备低导通电阻、高速开关特性以及高功率密度等优点,广泛用于DC-DC转换器、负载点电源(PoL)、电机驱动、激光驱动和高频功率转换系统等领域。
类型:增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)
漏源电压(VDS):200V
连续漏极电流(ID):25A(在TC=25°C)
导通电阻(RDS(on)):18mΩ(最大)
功率耗散(PD):3.5W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:0603QRC/E-AV(芯片级封装)
栅极电荷(QG):13nC
输入电容(Ciss):650pF
关断时间(tr):1.2ns
开启时间(tf):1.1ns
EC02-0603QRC/E-AV采用先进的氮化镓技术,具有出色的高频开关性能和极低的导通损耗。其主要特性包括:1)高击穿电压,支持200V的工作电压范围,适用于多种高压应用;2)低RDS(on),降低导通损耗,提高系统效率;3)高速开关能力,支持MHz级别的开关频率,减小外部元件尺寸,提升功率密度;4)采用0603QRC/E-AV封装,尺寸小巧,便于集成在高密度PCB布局中;5)无需使用散热片即可在多种应用中实现高效散热;6)具备高可靠性,适用于工业、汽车、通信等严苛环境下的应用需求。
该器件适用于多种高效率功率转换系统,包括高频DC-DC降压/升压转换器、服务器电源、电信整流器、激光二极管驱动器、电机控制电路、无线充电系统以及各类高密度电源模块。由于其出色的开关性能和紧凑的封装设计,特别适合用于需要高功率密度和高效率的现代电源系统中。
EPC2052、EPC2023、EPC2031、GS61004B、SiC620