086-3SM+ 时间：2025/12/28 13:01:23 阅读：11

086-3SM+ 是由 Vishay Semiconductors 生产的一款表面贴装肖特基势垒二极管，广泛应用于高效率、高频开关电源系统中。该器件采用 SMx 系列封装（DO-214AC），具备紧凑的尺寸和良好的热性能，适用于需要节省 PCB 空间并要求可靠性的现代电子设备。作为一款单系列配置的肖特基二极管，086-3SM+ 具备低正向压降和快速反向恢复时间的特点，使其在整流、续流、防反接以及 DC-DC 转换器等应用中表现出色。其设计特别适合用于消费类电子产品、工业控制电路、便携式设备和电源管理系统。
　　该器件符合 RoHS 指令要求，并具有 MSL（湿度敏感等级）1 级评级，表明其可在标准环境条件下长期储存而不影响焊接可靠性。此外，086-3SM+ 具备较高的浪涌电流承受能力，能够在瞬态负载或启动过程中保持稳定工作。由于其出色的热稳定性和电气特性，该型号被广泛用于各类中低功率电源拓扑结构中，如反激式、正激式和同步整流电路。

参数

类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单路
　　最大重复反向电压 (VRRM)：30 V
　　平均整流电流 (IO)：3 A
　　峰值正向浪涌电流 (IFSM)：75 A
　　最大正向压降 (VF)：0.52 V @ 3 A, 150°C
　　最大反向漏电流 (IR)：0.5 mA @ 30 V, 125°C
　　反向恢复时间 (trr)：典型值 < 5 ns
　　工作结温范围 (TJ)：-65°C 至 +150°C
　　封装/外壳：DO-214AC (SMC)
　　安装类型：表面贴装 (SMD)

特性

086-3SM+ 的核心优势在于其低正向压降与快速开关性能的结合，这显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提升了整体电源转换效率。其正向压降在 3A 电流下仅为 0.52V（在 150°C 条件下测试），相比传统硅整流二极管可减少近 50% 的功耗，尤其适用于对能效要求较高的便携式设备和绿色能源产品。这种低 VF 特性得益于肖特基势垒结构的设计优化，利用金属-半导体结代替传统的 PN 结，避免了少数载流子存储效应，因而实现了近乎零延迟的开关响应。
　　另一个关键特性是其超快的反向恢复时间（trr < 5ns），这意味着在高频开关环境下几乎不会产生反向恢复电荷（Qrr），有效抑制了电压尖峰和电磁干扰（EMI）。这对于运行在数十 kHz 到 MHz 频率范围内的 DC-DC 变换器至关重要，有助于简化滤波电路设计并提高系统稳定性。同时，该器件具备高达 75A 的峰值浪涌电流承受能力，能够应对诸如电源启动、负载突变等瞬态工况，增强了系统的鲁棒性。
　　从封装角度看，DO-214AC（SMC）是一种标准化的小外形表面贴装封装，具备良好的散热路径和机械强度，适合自动化贴片生产流程。其 -65°C 至 +150°C 的宽工作结温范围使其可在严苛环境温度下可靠运行，包括工业级和汽车电子应用场景。此外，该器件通过 AEC-Q101 认证的可能性较高（需查证具体批次），进一步拓展了其在车载充电系统、LED 驱动模块中的适用性。整体而言，086-3SM+ 在性能、尺寸与可靠性之间取得了良好平衡，是一款高性价比的功率整流解决方案。

应用

086-3SM+ 被广泛应用于多种电力电子场景中，尤其是在需要高效能量转换和紧凑设计的场合。它常用于开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流环节，特别是在低电压大电流输出的 AC-DC 和 DC-DC 转换器中发挥关键作用。例如，在笔记本电脑适配器、手机充电器、路由器电源模块中，该二极管可用于实现高效的同步整流替代方案或作为续流二极管使用，有效降低发热并提升整体效率。
　　在分布式电源架构中，086-3SM+ 常见于中间总线转换器（IBC）和负载点（POL）稳压器中，承担能量传递与隔离功能。此外，在反激式和正激式拓扑中，它可用作输出整流二极管，配合变压器完成能量释放过程。由于其具备良好的高温性能和抗浪涌能力，也适用于光伏微逆变器、LED 照明驱动电源等新能源领域。
　　在电池供电系统中，该器件可用于防止电池反向接入导致的损坏，起到防反保护作用；同时在电机驱动和继电器控制电路中，作为续流二极管吸收感性负载关断时产生的反电动势，保护主控开关元件（如 MOSFET 或 IGBT）。此外，因其小型化封装特性，非常适合用于空间受限的便携式医疗设备、智能家居控制器和工业传感器供电单元中。总之，凡是涉及中等功率水平下的高频整流、能量回馈或电压钳位的应用，086-3SM+ 都是一个理想选择。