1N5364AE3/TR8 是一种表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),由Microsemi(现为L3Harris Technologies的一部分)生产。齐纳二极管是一种利用反向击穿特性来维持稳定电压的半导体器件,广泛用于电压参考、稳压和电压保护电路中。该型号的齐纳电压额定值为18V,适用于需要精确电压控制的小功率电路应用。该器件采用SOD-123表面贴装封装,具有体积小、响应速度快、稳定性好等特点。
齐纳电压(Vz):18V
齐纳电流(Iz):5mA
最大耗散功率(Pd):300mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOD-123
最大反向漏电流(IR):100nA @ Vr=16V
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
1N5364AE3/TR8齐纳二极管具备优异的电压稳定性和低动态阻抗,确保在负载变化时仍能保持稳定的输出电压。其SOD-123封装设计非常适合空间受限的表面贴装电路板应用,同时具备良好的热稳定性和机械强度。该器件采用高纯度半导体材料制造,具有较低的温度漂移系数,能够在宽温度范围内保持电压的稳定性。
此外,1N5364AE3/TR8具有快速响应时间,适用于瞬态电压抑制和保护电路。该齐纳二极管的正向压降较低,通常在1V以下,有助于降低功耗。由于其良好的重复性和可靠性,该器件广泛应用于电源管理、电压参考、信号调节以及嵌入式系统中的稳压电路。
在制造工艺方面,1N5364AE3/TR8采用先进的扩散和钝化技术,确保了器件的长期稳定性与可靠性。其封装材料符合RoHS环保标准,适用于无铅焊接工艺,满足现代电子制造对环保和工艺兼容性的要求。
1N5364AE3/TR8齐纳二极管广泛应用于以下领域:
电源管理系统中作为基准电压源,用于调节和稳定输出电压;在DC-DC转换器和线性稳压器中作为反馈参考电压;在电池供电设备中用于电压监测和保护;在传感器电路中提供稳定的参考电压,确保测量精度;工业控制和通信设备中的稳压和保护电路;以及汽车电子、消费类电子产品和嵌入式系统中的电压调节和过压保护应用。
1N5364A-E3/54, 1N5364A-E3/51, 1N5364ALF-E3, SMAJ18A