时间：2025/11/6 6:21:56
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0805F475Z250CT是一款由KEMET（现属于Yageo集团）生产的多层陶瓷电容器（MLCC），采用标准的0805（公制2012）表面贴装封装。该器件具有4.7μF的标称电容值，额定电压为25V DC，电容容差为+80%/-20%（标记为Z），适用于广泛的去耦、滤波和旁路应用。该型号使用X5R温度特性介电材料，能够在-55°C至+85°C的工作温度范围内保持电容值变化在±15%以内，适合大多数工业和消费类电子产品。由于其高体积效率和良好的电气性能，0805F475Z250CT被广泛用于电源管理电路、DC-DC转换器输入输出滤波、模拟与数字电路间的噪声抑制等场景中。值得注意的是，该器件属于高介电常数类陶瓷电容器（Class II），其电容值会随外加直流偏压、交流信号幅度及温度变化而发生一定变化，因此在设计时需考虑实际工作条件下的有效电容衰减问题。此外，该产品符合RoHS指令要求，并具备良好的焊接可靠性，适合自动化SMT贴片工艺生产。
电容：4.7μF
容差：+80%/-20%
额定电压：25V DC
温度特性：X5R
工作温度范围：-55°C ~ +85°C
封装尺寸：0805（2.0mm x 1.2mm）
介质材料：陶瓷（Class II）
安装类型：表面贴装（SMD）
电极材料：镍/锡外电极（Ni/Sn）
老化率：约2.5%每十年（典型）
直流偏压特性：随电压升高电容下降（典型）
ESR：低（具体值依赖频率）
ESL：低（典型值在纳亨级别）
0805F475Z250CT所采用的X5R介电材料属于EIA Class II陶瓷材料，具备较高的介电常数，使得在较小封装内实现较大电容成为可能。相比C0G/NP0类电容器，X5R材料虽不具备完全稳定的温度特性，但在-55°C至+85°C范围内仍能维持±15%以内的电容变化，足以满足大多数非精密应用需求。该电容器的4.7μF大容量在0805尺寸下实现了较高的体积效率，特别适合空间受限的设计场景。
由于其为多层结构，内部由数十甚至上百层交替的陶瓷介质与金属电极堆叠而成，因此具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于提升高频去耦效果。在电源轨的噪声抑制中表现优异，可有效降低电压纹波并增强系统稳定性。然而，需要注意的是，Class II陶瓷电容器存在明显的直流偏压效应——即当施加接近额定电压的直流偏置时，实际可用电容会显著下降。例如，在16V偏压下，4.7μF的标称值可能降至2.5μF左右，因此在关键滤波设计中必须参考制造商提供的DC偏压曲线进行降额评估。
此外，X5R电容器还表现出一定的交流信号电压系数和老化特性。随着时间和温度循环，电容值会缓慢下降，通常以每十年约2.5%的速度老化，可通过高温烘烤恢复部分容量。机械应力方面，0805封装相对较小，但仍需注意PCB弯曲或热胀冷缩引起的裂纹风险，建议在布局时避免靠近板边或大质量元件，并采用适当的焊盘设计和回流焊工艺控制。总体而言，该器件在成本、尺寸与性能之间取得了良好平衡，是现代电子设计中常用的通用型贴片电容之一。
该电容器广泛应用于各类电子设备中的电源去耦和滤波电路。在数字系统中，常用于微处理器、FPGA、ASIC等高速逻辑芯片的供电引脚附近，作为局部储能元件，吸收瞬态电流突变引起的电压波动，从而提高电源完整性。在DC-DC转换器设计中，它既可用于输入端以平滑输入电压纹波，也可作为输出滤波电容来稳定输出电压，配合电感构成LC滤波网络。
在模拟电路中，0805F475Z250CT可用于运算放大器的电源端旁路，抑制高频干扰对敏感模拟信号的影响；也可用于ADC/DAC的参考电压缓冲，提升转换精度。此外，在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居控制器中，因其小尺寸和高可靠性，常被用于电池管理单元（BMU）、充电电路及射频模块的供电路径上。
工业控制设备、通信模块（如Wi-Fi、蓝牙模组）、嵌入式物联网节点等也大量采用此类电容。尽管其温度和电压稳定性不如C0G器件，但在非精密定时或谐振电路中仍可胜任大多数滤波任务。对于需要更高稳定性的场合，则建议搭配使用低容值C0G电容以弥补高频响应不足。总之，该器件适用于对体积和成本敏感、同时要求中等电容值和工作温度范围的一般用途去耦与储能应用。
C3216X5R1E475K160AB
CL21A475KOQNNNE
GRM21BR71E475KA01L
TCJ21AF475KBB
