时间：2025/11/6 6:23:48
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0805B822K631CT 是一款由AVX公司生产的多层陶瓷电容器（MLCC），采用标准的0805（2012公制）封装尺寸，广泛应用于各类电子电路中。该器件属于Class II介质材料系列，具体使用X7R或类似温度特性陶瓷介质，具备良好的电容稳定性与温度适应性。其标称电容值为8.2nF（即8200pF），允许偏差为±10%（K级精度），额定电压为63V DC，适用于中低压电源、信号耦合、去耦、滤波及高频旁路等应用场景。该产品采用片式结构设计，适合表面贴装技术（SMT），具有体积小、可靠性高、自感低和高频响应优异等特点。在工业控制、消费电子、通信设备和汽车电子等领域均有广泛应用。0805B822K631CT遵循RoHS环保指令要求，无铅兼容，可直接用于现代绿色电子产品制造流程中。此外，由于其稳定的电气性能和较强的环境耐受能力，能够在-55°C至+125°C的工作温度范围内保持正常运行，满足大多数严苛工况下的使用需求。
型号：0805B822K631CT
制造商：AVX
封装/尺寸：0805（2.0mm x 1.2mm）
电容值：8.2nF（8200pF）
容差：±10%（K）
额定电压：63V DC
介质材料：X7R（或等效Class II陶瓷）
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
温度特性：ΔC/C ≤ ±15%（在温度范围内）
安装类型：表面贴装（SMD）
层数结构：多层陶瓷（MLCC）
端接形式：镍阻挡层 / 锡覆盖（Ni/Sn）
符合标准：RoHS合规，无卤素选项可能可用
0805B822K631CT 采用先进的多层陶瓷制造工艺，内部由交替堆叠的陶瓷介质与内电极构成，形成高密度电容结构，在有限的空间内实现较高的电容量。其使用的X7R类介电材料属于铁电体配方，具有相对较高的介电常数，使得在0805小型封装下仍能实现8.2nF的有效电容值，同时在较宽的温度范围内（-55°C至+125°C）保持电容变化不超过±15%，确保了电路工作的稳定性。这种材料对电压依赖性较小，直流偏压下的电容衰减处于可接受范围，适合用于非精密但要求稳定性的滤波和旁路应用。
该电容器具备优异的高频响应特性，因其内部结构紧凑且寄生电感（ESL）较低，能够有效抑制高频噪声，常用于电源去耦和信号路径中的高频干扰滤除。同时，其低等效串联电阻（ESR）有助于减少能量损耗，提高系统效率，特别适用于开关电源输出端的平滑滤波。机械强度方面，器件经过优化设计以增强抗热冲击和板弯应力的能力，降低因焊接或环境温度循环引起的开裂风险。
表面端子采用镍阻挡层加锡镀层结构，提供良好的可焊性和长期可靠性，兼容回流焊和波峰焊工艺，并防止银离子迁移问题。整体设计符合工业级质量标准，经过严格的批次测试，包括耐电压、绝缘电阻、电容值筛选等项目，确保每一批次产品的电气一致性与长期稳定性。该器件还具备较强的湿度抵抗能力，包装通常采用防潮袋密封，避免吸湿导致焊接时“爆米花”效应的发生。
0805B822K631CT 广泛应用于多种电子系统中，作为关键的无源元件发挥着重要作用。在电源管理系统中，它常被用作输入/输出端的去耦电容，配合稳压器（如LDO或DC-DC转换器）使用，以滤除高频纹波和瞬态干扰，提升供电质量。在模拟信号链路中，该电容可用于交流耦合、级间隔离和低通滤波配置，帮助阻断直流分量并传递有用信号，常见于音频处理、传感器接口和数据采集前端电路。
在数字电路设计中，尤其是在微控制器、FPGA或ASIC的电源引脚附近，部署此类电容可以有效吸收高速切换带来的电流突变，维持局部电压稳定，防止逻辑错误或系统复位。此外，在射频和无线通信模块中，虽然不作为主调谐元件，但仍可用于偏置电路的旁路或杂散抑制，辅助提升系统EMI性能。
工业自动化设备、医疗仪器、智能家居控制器以及车载信息娱乐系统中也普遍采用该型号电容，得益于其宽温特性和高可靠性，能在复杂电磁环境和多变温场条件下持续工作。对于需要通过AEC-Q200认证以外的一般汽车电子应用，此器件亦可胜任非安全关键部位的滤波任务。总之，凭借其成熟的设计、可靠的性能和广泛的供货渠道，0805B822K631CT 成为工程师在中小容量陶瓷电容选型中的常用选择之一。
C0805C822K6RACTU
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