时间：2025/12/28 2:26:17
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0805B682K250NT是一款由KEMET公司生产的多层陶瓷电容器（MLCC），采用标准的0805（2012公制）表面贴装封装。该电容器的标称电容值为6800pF（即6.8nF），容差为±10%（K级），额定电压为25V DC。其型号中的'250'代表额定电压为25V，'NT'通常表示该器件符合无铅焊接工艺要求，并可能具备特定的端接结构以增强可靠性和抗热应力性能。这款电容器采用X7R温度特性介质材料，属于EIA Class II陶瓷电介质类别，适用于需要稳定电容值且对温度变化不敏感的应用场景。X7R材质意味着其电容值在-55°C至+125°C的工作温度范围内变化不超过±15%，相较于Z5U或Y5V等材料具有更好的温度稳定性，但介电常数低于高K材料如Y5V。由于其小型化封装和良好的电气性能，0805B682K250NT广泛应用于去耦、滤波、旁路、耦合以及中等频率下的信号处理电路中。该器件符合RoHS环保指令要求，适合现代自动化贴片生产工艺，在消费电子、通信设备、工业控制和汽车电子等领域均有广泛应用。
尺寸代码（英制）：0805
尺寸代码（公制）：2012
电容值：6800pF
容差：±10%
额定电压：25V DC
温度特性：X7R
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
介质材料：陶瓷（Class II, X7R）
安装类型：表面贴装（SMD）
端接类型：镍阻挡层/锡覆盖（Ni/Sn），符合无铅焊接要求
电容温度系数（TCC）：±15% @ -55°C ~ +125°C
0805B682K250NT所采用的X7R陶瓷介质赋予其优异的温度稳定性，能够在宽温范围内保持电容值的相对恒定，这对于确保电路在不同环境条件下的性能一致性至关重要。例如，在电源去耦应用中，稳定的电容值可以有效滤除高频噪声，防止因电容漂移导致的去耦效果下降。同时，X7R材料在提供良好温度特性的同时，仍具备较高的介电常数，使得在有限的封装尺寸内实现较大的电容容量成为可能。这在空间受限的高密度PCB设计中尤为关键。相比C0G/NP0类I类陶瓷电容，虽然X7R的精度和线性度略低，但在成本和体积方面具有显著优势，因此更适合用于非精密但要求一定稳定性的场合。
该器件的0805封装是目前业界最常用的SMD电容尺寸之一，兼顾了焊接可靠性与空间利用率。其端子结构经过优化设计，采用镍阻挡层加锡覆盖的三层端接技术（Metalectrode），不仅提高了抗机械应力能力，还增强了耐潮性和长期可靠性，减少因板弯曲或热循环引起的开裂风险。此外，这种端接方式兼容回流焊和波峰焊工艺，适应大规模自动化生产流程。KEMET在制造过程中严格控制叠层精度和烧结工艺，确保每批产品具有一致的电气特性和低失效率。该电容器具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频下仍能保持良好的滤波性能，适用于开关电源输出滤波、IC供电引脚去耦等动态负载场景。值得一提的是，尽管X7R电容存在一定的直流偏压效应——即随着施加电压接近额定值，实际电容值会有所下降——但在25V额定电压下使用于5V或12V系统时，其容量保持率较高，仍能满足大多数应用需求。
0805B682K250NT广泛应用于各类电子设备中的去耦和旁路电路。在数字系统中，它常被放置在微处理器、FPGA、ASIC等高速逻辑芯片的电源引脚附近，用于吸收瞬态电流波动，抑制电源噪声，维持供电电压的稳定。其快速响应能力和低阻抗特性有助于降低系统误码率并提升整体电磁兼容性（EMC）。在模拟电路中，该电容可用于中频滤波器、耦合级间信号以及构建RC定时网络，尤其适用于对温度漂移有一定容忍度但要求体积紧凑的设计。在DC-DC转换器和开关稳压电源中，它可作为输入和输出滤波电容，配合电感构成LC滤波网络，平滑纹波电压，提高输出质量。此外，该器件也常见于工业控制模块、传感器接口电路、射频前端匹配网络以及消费类电子产品如智能手机、平板电脑和智能家居设备中。由于其工作温度范围宽达-55°C至+125°C，亦可用于部分车载电子系统，如车身控制模块、信息娱乐系统等非引擎舱区域，满足汽车电子对环境适应性的基本要求。对于需要小型化、高可靠性和批量生产的现代电子产品而言，0805B682K250NT是一个经济实用且性能均衡的选择。
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"C3216X7R1E682K"
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https://product.tdk.com/en/system/files/datasheet/mlcc/smdmlcc/eia_0805/x7r/c3216x7r1e_series.pdf
