时间：2025/8/16 15:22:03
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CJ13-120001210B20 是一款由国产厂商设计的高可靠性、高性能的功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于电源管理、电机控制、工业自动化等领域。该器件采用了先进的沟槽式功率MOSFET技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。其封装形式为TO-220，适用于各种高功率应用场景。CJ13-120001210B20的设计旨在提供高效率、低损耗和优异的耐用性，满足工业级和汽车级应用的需求。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：120V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：10A（在25℃）
导通电阻（Rds(on)）：≤120mΩ
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-220
功率耗散（Pd）：50W
漏极-源极击穿电压（BVdss）：≥120V
栅极电荷（Qg）：约25nC
输入电容（Ciss）：约1100pF
CJ13-120001210B20具备多项优异特性，适用于高要求的电源管理系统。其导通电阻低至120mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET结构，提升了电流承载能力和热稳定性，使其在高负载条件下仍能保持良好性能。此外，CJ13-120001210B20具有较高的开关速度，适用于高频开关应用，从而减少开关损耗并提高响应速度。其栅极驱动电压范围宽广（通常为4.5V至20V），可兼容多种驱动电路。CJ13-120001210B20还具备良好的抗雪崩能力和过热保护性能，确保在极端工况下的稳定运行。该器件通过严格的工业级测试，符合RoHS环保标准，适用于多种高可靠性要求的电子设备。
CJ13-120001210B20的封装形式为TO-220，便于安装和散热管理，适合在紧凑型电源设计中使用。其高耐压能力（120V）使其适用于多种DC-DC转换器、马达驱动器、电池管理系统和负载开关应用。此外，该MOSFET在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，支持长时间高负载运行，适用于工业自动化和电动汽车等对可靠性要求极高的场景。
CJ13-120001210B20适用于多种功率电子系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、LED照明驱动、工业自动化控制、负载开关以及新能源汽车相关应用。其高效率和高可靠性使其成为工业级和汽车级电子系统设计中的理想选择。
IRF1404、Si4442DY、FDMS86101、IPB012N12N5、CJ13-120001210B15
