尺寸代码：0805（2012）
　　电容值：470pF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　介电材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　电容温度特性：±15%
　　端接类型：镍阻挡层（Ni-barrier）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　符合标准：RoHS合规，无铅

0805B471K500所采用的X7R介电材料是EIA定义的一类中等稳定的高介电常数陶瓷材料，能够在-55°C到+125°C的极端温度范围内维持电容值的相对稳定，变化幅度控制在±15%以内。这一特性使得该电容器非常适合用于对温度变化敏感的应用场合，例如电源稳压电路中的去耦电容或模拟信号路径中的耦合电容。相较于Z5U或Y5V等低稳定性介质，X7R在寿命期间的电容衰减更小，老化速率更低，通常每年老化率约为2.5%左右，确保了长期使用的稳定性。此外，X7R材料具备较好的频率响应特性，在数百kHz至数十MHz的频率范围内仍能保持较高的有效电容值，适合用作开关电源输出端的滤波元件或高速数字IC的局部去耦。
　　该器件采用0805（即2.0mm x 1.25mm）的小型表面贴装封装，兼顾了空间利用率与焊接可靠性，适合高密度PCB布局。其内部结构由多个交错叠层的陶瓷介质与内电极构成，形成多层并联结构，从而在小体积下实现较高的电容密度。镍阻挡层端接技术有效防止铜扩散进入陶瓷体，提升了抗热应力能力，减少因回流焊过程中热膨胀不均导致的裂纹风险。这种设计显著增强了器件在恶劣环境下的机械强度和长期可靠性，特别适用于需要经受多次热循环或振动的工业控制系统。
　　0805B471K500的额定直流电压为50V，意味着在正常工作条件下可安全承受最高50V的持续电压。需要注意的是，随着施加电压的增加，特别是接近额定电压时，X7R介质会表现出一定的直流偏压效应，即实际可用电容值会下降。因此，在关键应用中建议进行偏压测试以确认实际工作电容是否满足需求。总体而言，这款电容器凭借其稳定的电气性能、可靠的结构设计和广泛的兼容性，成为众多电子设计中的首选被动元件之一。

该电容器广泛应用于各类电子电路中，特别是在需要稳定电容值和良好温度特性的场合。常见用途包括电源去耦，用于微处理器、FPGA、ASIC等数字芯片的供电引脚附近，以滤除高频噪声并稳定电压。在模拟电路中，它可用于信号耦合与级间隔离，尤其在音频放大器或传感器接口电路中表现优异。此外，该器件也常用于LC滤波网络、谐振电路和射频匹配电路中，配合电感构成带通或低通滤波器，提升系统电磁兼容性（EMC）。在DC-DC转换器中，0805B471K500可作为输入/输出滤波电容，抑制开关噪声，改善输出纹波。其小型化封装使其非常适合空间受限的便携式设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端。工业控制模块、汽车电子系统（非引擎舱）、医疗监测设备以及通信基站模块中也普遍采用此类电容器，以确保系统在复杂环境下的稳定运行。由于其RoHS合规性和无铅端接，完全支持现代绿色制造流程和环保法规要求。

C0805X7R1H471K