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0805B106M100NT 发布时间 时间:2025/12/28 1:37:14 查看 阅读:14

0805B106M100NT是一款由KEMET公司生产的多层陶瓷贴片电容器(MLCC),采用标准的0805封装尺寸(英制,即2.0mm x 1.25mm),广泛应用于各类电子设备中。该器件属于X7R温度特性系列的陶瓷电容,具有较高的体积效率和稳定的电气性能,适用于去耦、滤波、旁路和信号耦合等电路功能。其标称电容值为10μF(106表示10后跟6个零皮法,即10,000,000pF = 10μF),额定电压为10V DC,容差为±20%(M表示容差等级)。该型号采用镍障电极结构(Ni-barrier termination),具备良好的焊接可靠性和抗热应力能力,符合RoHS环保要求,并且通常具有无铅兼容的端子涂层,适合现代回流焊工艺。
  0805B106M100NT在设计上优化了在直流偏压下的电容保持率,尽管X7R介质材料会随着施加电压的增加而出现电容下降现象,但该型号在10V工作电压下仍能维持相对可用的电容量,使其成为空间受限但需要较高电容值应用的理想选择。此外,由于其小型化封装和表面贴装特性,非常适合用于高密度PCB布局,如移动通信设备、消费类电子产品和便携式电源管理模块中。需要注意的是,在实际应用中应严格控制工作电压、温度变化及机械应力,以避免因过压或板弯导致的裂纹和失效问题。

参数

封装尺寸:0805 (2.0mm x 1.25mm)
  电容值:10μF (106)
  容差:±20% (M)
  额定电压:10V DC
  温度特性:X7R(-55°C 至 +125°C)
  介质材料:陶瓷(Class II, X7R)
  端接类型:镍障(Ni-barrier)
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  产品系列:KEMET Surface Mount MLCC
  安装类型:表面贴装(SMD)
  电极系统:贵金属电极(PME)或 base metal electrode(BME),依具体批次而定

特性

0805B106M100NT作为一款高性能表面贴装多层陶瓷电容器,具备出色的温度稳定性与宽泛的工作温度范围(-55°C 至 +125°C),符合EIA X7R标准,意味着其电容值在极端温度条件下变化不超过±15%。这一特性使其能够在环境温度波动较大的工业控制、汽车电子和通信设备中稳定运行。同时,X7R介质提供了比C0G/NP0类电容更高的介电常数,从而在有限的封装尺寸内实现较大的电容值,满足现代电子产品对小型化和高集成度的需求。
  该电容器采用镍障端接技术,显著提升了抗硫化能力和长期可靠性,特别适用于可能存在硫污染的工业或户外环境中。镍障层位于内电极与外电极之间,有效阻止外部环境中的硫元素渗透至内部银电极,防止形成导电性差的硫化银而导致开路故障。这对于保障产品在整个生命周期内的电气连续性至关重要。
  此外,0805B106M100NT支持自动化贴片生产流程,兼容标准回流焊工艺(如无铅回流焊,峰值温度约260°C),具有良好的可制造性。其结构设计也考虑了机械应力管理,但在PCB布局时仍需避免将元件布置在板边或应力集中区域,以防弯曲或振动引起的陶瓷开裂。值得注意的是,该型号在接近额定电压工作时会出现明显的直流偏压效应,即实际电容值会低于标称值。例如,在施加10V电压时,实际电容可能仅保留初始值的40%-60%,因此在关键滤波或储能应用中必须结合偏压曲线进行降额设计。
  总体而言,这款MLCC在成本、尺寸、性能之间取得了良好平衡,是中等电容需求场合下的主流选择。其高可靠性设计和环保合规性也符合当前电子制造业的发展趋势。

应用

0805B106M100NT广泛应用于各类需要中等电容值和良好温度稳定性的电子电路中。在便携式消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,它常被用作电源去耦电容,连接在处理器、电源管理IC(PMU)或射频模块的供电引脚附近,用于滤除高频噪声并稳定电压,提升系统稳定性与抗干扰能力。其小尺寸特性使其非常适合高密度PCB布局,有助于缩小整机体积。
  在电源管理系统中,该电容可用于DC-DC转换器的输入和输出滤波环节,配合电感构成LC滤波网络,有效抑制开关噪声,降低输出纹波。虽然其电容值受直流偏压影响较大,但在输入电压较低(如3.3V或5V)的应用中仍能提供足够的有效电容,满足一般稳压需求。
  此外,该器件也常见于工业控制设备、医疗电子仪器和汽车电子模块中,用于信号耦合、旁路和局部储能。在汽车应用中,虽然非AEC-Q200认证版本不推荐用于关键安全系统,但可用于信息娱乐系统或车内照明控制等非核心电路。其宽温特性和抗硫化端接设计增强了在复杂电磁环境和恶劣气候条件下的适应能力。
  在通信基础设施中,如路由器、交换机和基站模块,0805B106M100NT可用于模拟前端或数字逻辑电路的噪声抑制,提高信号完整性。同时,因其具备良好的高频响应特性(低ESL和适中ESR),也可在一定程度上替代钽电容,避免极性错误和潜在的短路风险,提升系统安全性。

替代型号

[
   "C3216X7R1A106M160AB",
   "GRM21BR71A106KA12L",
   "CL21B106KOANNNC",
   "EMK212B7106KG-T"
  ]

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