型号：07MQ-ST-L
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：PowerPAK? SC-70
　　通道数：单通道
　　漏源电压(VDSS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：5.8A
　　脉冲漏极电流(IDM)：23A
　　导通电阻(RDS(on))：19mΩ @ VGS = 10V, 20mΩ @ VGS = 4.5V
　　栅极电荷(Qg)：6.8nC @ VGS = 10V
　　输入电容(Ciss)：325pF @ VDS = 15V
　　开启延迟时间(td(on))：7ns
　　关断延迟时间(td(off))：20ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻结到环境(RθJA)：200°C/W
　　热阻结到外壳(RθJC)：60°C/W

07MQ-ST-L采用Vishay成熟的TrenchFET?技术，这种先进的沟道结构显著降低了器件的导通电阻与栅极电荷，从而大幅提升了开关效率并减少了功率损耗。该MOSFET在VDSS=30V的同类产品中具有极低的RDS(on)，在VGS=10V时仅为19mΩ，在VGS=4.5V时也仅20mΩ，确保了在低电压驱动条件下仍能保持高效导通，非常适合电池供电设备的应用需求。由于其优化的工艺设计，该器件还具备出色的热稳定性与长期可靠性，在高温环境下仍能维持稳定的电气性能。
　　该器件的封装为PowerPAK? SC-70，是一种超小型表面贴装封装，尺寸仅为2mm x 2mm，极大节省了PCB空间，适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等紧凑型电子产品。尽管体积小巧，但其封装设计考虑了散热性能，通过优化的焊盘布局可实现有效的热传导，降低结温上升，提升长期运行的可靠性。此外，该封装符合RoHS环保标准，无铅且兼容现代回流焊工艺。
　　在动态性能方面，07MQ-ST-L表现出优异的开关特性，其总栅极电荷Qg仅为6.8nC（在VGS=10V时），输入电容Ciss为325pF，使得在高频开关应用中能够快速充放电，减少开关延迟。开启延迟时间为7ns，关断延迟时间为20ns，表明其具备快速响应能力，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关频率场景，如同步整流、负载开关控制等。同时，较低的栅极驱动功率需求也有助于降低控制器的功耗负担。
　　该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅氧化层设计，能够在瞬态过压和电流冲击下保持稳定，增强了系统的鲁棒性。其工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车级应用环境。此外，器件内部结构经过优化，寄生参数较小，有助于减少电磁干扰（EMI）问题，提升系统EMC性能。综合来看，07MQ-ST-L是一款集高性能、小尺寸与高可靠性于一体的先进功率MOSFET，广泛适用于现代高效能电源管理系统。

07MQ-ST-L广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。典型应用包括便携式消费类电子产品中的负载开关，用于控制不同模块的电源通断，以实现节能和延长电池续航时间。在DC-DC转换器中，该器件可用作同步整流器或主开关管，尤其适用于降压（Buck）拓扑结构，凭借其低RDS(on)和快速开关特性，显著提升转换效率并降低温升。此外，它也常用于电机驱动电路，特别是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动中，作为低端或高端开关使用，提供可靠的电流控制能力。
　　在电源管理单元（PMU）或多路电源分配系统中，07MQ-ST-L可用于实现多路电源的选择与切换，例如在主备电源切换、USB电源路径管理等场景中发挥关键作用。其逻辑电平兼容特性使其能够直接由3.3V或5V微控制器GPIO引脚驱动，无需额外驱动电路，简化了系统设计。在LED背光驱动或照明控制中，该MOSFET也可作为PWM调光开关，实现精确的亮度调节。
　　由于其高可靠性和宽温度范围，该器件同样适用于工业控制、汽车电子辅助系统（如车用摄像头、传感器电源管理）等领域。在这些环境中，器件需承受振动、湿度和温度变化等严苛条件，而07MQ-ST-L的坚固结构和稳定性能能够确保长期稳定运行。此外，在热插拔电路或过流保护电路中，该MOSFET可配合电流检测电阻和控制IC实现软启动和限流功能，防止浪涌电流损坏后级电路。总之，其多功能性和高性能使其成为现代电子设计中不可或缺的功率元件之一。

Si2302DDS-T1-GE3,SZ-2302,LX2302CST