类型：肖特基势垒二极管
　　封装/包装：SOD-123
　　是否无铅：是
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流阻断电压（VR）：30V
　　平均整流电流（IO）：200mA
　　正向压降（VF）：典型值 0.48V（在 100mA, 25°C 条件下）
　　最大正向压降（VF(max)）：0.6V（在 200mA, 25°C 条件下）
　　反向漏电流（IR）：最大 5μA（在 30V, 25°C 条件下）
　　反向恢复时间（trr）：典型值 4ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　热阻（Rth(j-a)）：约 500°C/W（自由空气条件下）

06FDZ-ST(S)(LF)(SN) 具备优异的电气性能与热稳定性，其核心优势在于采用了肖特基势垒结构，实现了极低的正向导通压降，显著降低了功率损耗，提升了系统整体能效。在 100mA 导通电流下，典型正向压降仅为 0.48V，相比传统 PN 结二极管可减少近 30% 的导通损耗，特别适用于电池供电设备中延长续航时间。同时，该器件具备极快的反向恢复时间（典型值 4ns），几乎不存在少数载流子存储效应，因此在高频开关电路中表现出色，能够有效抑制电压振铃和电磁干扰，提升电源转换效率。
　　该二极管采用 SOD-123 小型表面贴装封装，尺寸紧凑（约 2.7mm x 1.6mm x 1.1mm），便于在高密度 PCB 布局中使用，尤其适合便携式电子产品如移动终端、可穿戴设备和 IoT 模块。封装材料符合 RoHS 和无卤素要求，满足现代电子产品对环保和可靠性的双重标准。器件具有良好的热循环耐久性和焊接可靠性，支持回流焊工艺，适用于大规模自动化生产流程。
　　在可靠性方面，06FDZ-ST(S)(LF)(SN) 经过严格的筛选和测试，能够在 -55°C 至 +150°C 的宽结温范围内稳定工作，适应严苛的环境条件。其反向漏电流在高温下仍保持较低水平（最大 5μA @ 30V, 25°C），确保在待机或低功耗模式下的系统稳定性。此外，该器件具备一定的浪涌电流承受能力，可在瞬态负载变化时提供可靠的保护功能。综合来看，这款二极管以其高效、快速、小型化和环保特性，在现代电子设计中扮演着关键角色。

广泛应用于便携式消费类电子产品中的电源管理单元，例如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机等设备中作为电池充放电路径的防反接保护或负载切换元件。在 DC-DC 转换器电路中，常被用作同步整流辅助二极管或续流二极管，以提高转换效率并降低温升。此外，该器件也适用于 USB 接口的电源隔离、LED 驱动电路中的电流单向导通控制、以及各类低电压逻辑电路中的信号整形与钳位。由于其快速响应特性，还可用于高频开关电源、开关稳压器和逆变器中的噪声抑制与能量回馈路径。在工业控制领域，可用于传感器模块、通信接口（如 RS-232、I2C 总线）的静电和反向电压保护。同时，因其小型封装和高可靠性，也被集成于模块化电源、无线充电接收器和微型电机驱动电路中，发挥关键的整流与保护作用。

RB751V-30