电容：3.3μF
　　电压：6.3V
　　温度特性：X5R
　　电容公差：±20%
　　封装尺寸：0603（1608）
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　直流偏压特性：典型情况下，在6.3V偏压下电容值下降约40~60%
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 C×V ≥ 1000MΩ·μF
　　损耗因数（DF）：≤5%
　　耐久性：在额定电压和+85°C环境下连续工作1000小时后，电容变化不超过初始值的-75%/+25%范围

0603X335M6R3CT作为一款高容量密度的片式陶瓷电容器，其核心优势在于将3.3μF的大容量集成于仅0603（1.6mm × 0.8mm）的小型封装中，极大满足了现代电子产品向轻薄化、高集成度发展的需求。该器件采用X5R介电材料，具备相对稳定的温度响应特性，可在-40°C至+85°C的工作温度范围内保持电容值波动在±20%以内，相较于Y5V等材料具有更优的温漂表现，适用于大多数非精密但要求稳定性的电路场景。
　　值得注意的是，由于高介电常数陶瓷介质（如BaTiO3基材料）固有的直流偏压效应，实际施加电压会导致有效电容显著下降。对于此型号，在接近6.3V满额定电压时，实测电容可能降至标称值的40%~60%，即约1.3~2.0μF左右。因此在设计电源去耦网络时必须考虑这一非线性特性，建议通过仿真或实测验证其在目标工作点下的真实去耦效果。此外，该器件对机械应力较为敏感，PCB弯曲或热胀冷缩可能导致微裂纹进而引发短路失效，推荐优化布局以避免应力集中，并采用柔性端子结构或树脂包封型产品提升可靠性。
　　电气性能方面，其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）使其在数百kHz至数百MHz频段内表现出优异的去耦能力，广泛用于数字IC的电源引脚旁路、模拟电路滤波及信号耦合等应用。制造工艺上采用多层叠膜共烧技术，确保内部电极均匀性和长期稳定性。符合RoHS环保标准，无铅兼容回流焊工艺（峰值温度通常支持260°C）。尽管不具备C0G/NP0级别的频率稳定性，但在成本、体积与性能之间实现了良好平衡，是消费类SMD电路中的主流选择之一。

广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、无线模块、电源管理单元、DC-DC转换器输入输出滤波、微控制器供电去耦、音频处理电路耦合、传感器信号调理线路以及各类便携式消费类电子产品中的高频滤波与储能场合。

GRM188R71E335KA12D
　　CL10A335KO6NNNC
　　CC0603KRX5R7X335