时间：2025/12/27 8:59:47
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05N65-TA是一款由UTC（友顺科技）生产的N沟道增强型高压功率MOSFET，采用先进的平面条形沟槽栅极技术制造。该器件专为高效率开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等应用设计，在高温环境下仍能保持良好的性能和可靠性。05N65-TA的额定电压为650V，适合在高电压系统中使用，能够承受较高的瞬态电压冲击。其低导通电阻（RDS(on)）特性有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该MOSFET具有快速开关能力，适用于高频工作场景，从而减小外围无源元件的尺寸和成本。器件封装形式为TO-220，具备良好的热传导性能，便于安装散热片以应对大功率应用中的热量积累问题。由于其优异的雪崩能量耐受能力和抗di/dt能力，05N65-TA在面对负载突变或短路等异常工况时表现出较强的鲁棒性。这款产品广泛应用于工业电源、绿色能源系统、照明驱动电路及消费类电子产品中，是中高功率开关应用的理想选择之一。
型号：05N65-TA
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDSS)：650V
连续漏极电流(ID)@25℃：5A
脉冲漏极电流(IDM)：20A
栅源电压(VGS)：±30V
导通电阻(RDS(on))@VGS=10V：典型值0.95Ω，最大值1.2Ω
导通电阻(RDS(on))@VGS=5V：不适用（建议使用10V驱动）
阈值电压(Vth)@ID=250μA：2.0V~4.0V
输入电容(Ciss)@VDS=25V：520pF
输出电容(Coss)@VDS=25V：110pF
反向恢复时间(trr)：未内置续流二极管或极短
最大功耗(PD)@TA=25℃：50W
工作结温范围(TJ)：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围(Tstg)：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220
05N65-TA采用高性能硅基材料与优化的沟槽栅结构设计，实现了低导通电阻与高击穿电压之间的良好平衡。其650V的漏源耐压能力使其适用于全球通用输入电压范围内的离线式电源系统，例如AC-DC适配器、LED恒流驱动电源和光伏逆变器等。该器件的RDS(on)最大值仅为1.2Ω（在VGS=10V条件下），显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了能效表现，尤其有利于实现高效率能源转换目标。同时，较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw）使得开关过程更加迅速，减少了开关损耗，支持更高的工作频率，进而允许使用更小体积的电感和变压器，有助于缩小整机尺寸。
该MOSFET具备优良的热稳定性，其最大结温可达150℃，确保在高温环境或持续重载条件下稳定运行。TO-220封装不仅提供了良好的机械强度，还具备出色的散热性能，可通过外接散热片有效传导内部产生的热量，延长器件寿命。此外，05N65-TA经过严格测试，具有较强的抗雪崩能力，能够在突发过压或电感负载断开时吸收一定的能量而不损坏，提高了系统的安全性和可靠性。器件还具备良好的抗噪声干扰能力，栅极氧化层设计可承受±30V的栅源电压，避免因驱动信号波动导致误触发或永久损伤。综合来看，05N65-TA以其高耐压、低损耗、强可靠性和成熟封装的优势，成为众多中功率电力电子应用中的优选器件。
05N65-TA广泛应用于各类需要高效、高压开关功能的电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），如手机充电器、笔记本电脑适配器、电视电源模块等，其中作为主开关管用于实现AC到DC的高效转换。在LED照明驱动领域，该器件可用于隔离式反激变换器拓扑中，提供稳定的恒流输出，满足商业和工业照明对能效与寿命的要求。此外，它也被用于DC-DC升压或降压转换器中，特别是在太阳能控制器、电池管理系统和电动车辅助电源系统中发挥关键作用。工业控制设备中的电机驱动电路也常采用此类MOSFET进行PWM调速控制，得益于其快速响应和低导通压降特性，能够提升控制精度并减少发热。其他应用场景还包括 uninterruptible power supplies (UPS)、inverters for renewable energy systems、electronic ballasts 和 pulse width modulation (PWM) 控制器等。凭借其高性价比和稳定性能，05N65-TA在消费类、工业类及绿色能源类电子产品中均展现出广泛的适用性。
5N65F
5N65S
KF5N65
STP5NK60ZFP
IPD5N60E
