时间:2025/12/27 16:18:15
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04SUR-36L是一种表面贴装的肖特基势垒二极管阵列,常用于高频开关电源、DC-DC转换器以及反向电压保护电路中。该器件采用SMA(DO-214AC)封装,具有较小的物理尺寸和良好的热性能,适合在空间受限的应用中使用。04SUR-36L由多个独立的肖特基二极管组成,具备低正向导通压降和快速恢复特性,能够有效提升电源转换效率并减少能量损耗。该器件广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备、通信模块以及便携式电子设备中。其设计符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于现代自动化贴片生产线。
该型号中的“04”通常表示内部包含四个独立的二极管单元,“SUR”代表超快恢复或肖特基类型,“36L”可能指其反向耐压等级或产品系列标识。尽管命名类似快恢复二极管,但根据实际规格,04SUR-36L更倾向于归类为高性能肖特基二极管,适用于高频率整流场合。由于其优异的开关特性和热稳定性,能够在高温环境下长时间稳定运行,是替代传统PN结二极管的理想选择之一。
类型:肖特基势垒二极管阵列
配置:单体四元件(共阴极或独立连接)
最大重复反向电压(VRRM):60V
最大直流反向电压(VR):60V
峰值脉冲电流(IFSM):30A
每芯片平均整流电流(IO):1.5A
正向压降(VF):典型值0.48V @ 1A,最大值0.65V @ 1A
反向漏电流(IR):≤ 100μA @ 25°C,≤ 1000μA @ 100°C
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
封装形式:SMA(DO-214AC)
安装方式:表面贴装(SMD)
极性配置:四通道独立或共阴极可选
04SUR-36L的核心特性在于其采用了先进的肖特基势垒技术,使得该器件在正向导通时表现出极低的电压降,从而显著降低功率损耗并提高系统整体能效。这一特性在电池供电设备和高效电源管理电路中尤为重要。与传统的PN结二极管相比,肖特基二极管没有少数载流子储存效应,因此具备极快的开关速度,几乎不存在反向恢复时间(trr < 10ns),这使其非常适合用于高频开关应用,如开关模式电源(SMPS)、DC-DC变换器和逆变器等。此外,该器件的低开启电压(约0.3V)使其在微弱信号整流和低压检测电路中也表现出色。
该器件采用SMA封装,具有较小的占地面积和良好的散热能力,能够在有限的空间内实现高效的热传导。其塑料模塑封装结构提供了优良的电气绝缘性和机械强度,同时具备较强的抗潮湿、抗腐蚀能力,提升了在恶劣环境下的可靠性。每个二极管单元之间具有良好的电气隔离,支持多种连接方式,包括独立使用、共阴极或共阳极配置,增强了设计灵活性。所有材料均符合RoHS指令要求,不含铅、镉、六价铬等有害物质,并通过了相关环保认证,适用于出口型电子产品。
04SUR-36L还具备出色的温度稳定性,在宽温范围内保持稳定的电气性能。随着温度升高,虽然反向漏电流会有所增加,但在正常工作条件下仍处于可接受范围。其最高工作结温可达+150°C,表明其可在高温环境中长期运行而不会发生热失效。此外,该器件对瞬态过电流具有一定的承受能力,峰值浪涌电流可达30A,能够在电源启动或负载突变时提供可靠的保护作用。综合来看,04SUR-36L以其高效、快速、可靠的特点,成为现代电子系统中不可或缺的关键元器件之一。
04SUR-36L广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电子电路中。在开关电源领域,它常被用作次级侧整流二极管,特别是在反激式、正激式和同步整流拓扑结构中,利用其低正向压降和快速恢复特性来提高转换效率并减少发热。在DC-DC转换器模块中,该器件可用于输入/输出端的防反接保护和电压钳位,防止因电源极性接反而损坏后级电路。此外,在电池充电管理系统(BMS)中,它可以作为充放电路径的隔离元件,确保电流单向流动,避免电池之间的相互影响。
在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和智能家居设备,04SUR-36L用于电源适配器、USB接口保护和主板上的局部电源管理单元。其小型化封装非常适合高密度PCB布局,有助于缩小整机体积。在通信设备中,如路由器、交换机和基站模块,该器件用于电源整流和信号调理电路,保障系统的稳定运行。工业控制领域中,PLC控制器、传感器模块和电机驱动器也会采用此类二极管进行电源隔离和瞬态抑制。
此外,04SUR-36L还可用于LED照明驱动电源中的续流二极管,配合电感元件实现能量释放路径,防止电压尖峰损坏驱动芯片。在太阳能光伏系统的小型控制器中,也可作为防逆流二极管使用,防止夜间电池反向放电。由于其支持自动化贴片生产,因此特别适合大规模量产场景,广泛服务于OEM和ODM制造商。
MBR4H60, SB160, SS406, M7S, BAS40-06