ME6211A15M3G-N 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机驱动和功率转换等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和稳定性。
ME6211A 系列属于增强型 N 沟道 MOSFET,支持高电流负载,并且具备良好的热性能。其封装形式为 LFPAK8,适合表面贴装技术(SMT)应用,有助于实现紧凑型设计。
型号:ME6211A15M3G-N
类型:N沟道 MOSFET
VDS(漏源极电压):15V
RDS(on)(导通电阻):3mΩ(典型值,在 VGS=10V 时)
ID(连续漏极电流):93A
VGS(th)(阈值电压):1.5V 至 2.5V
栅极电荷(Qg):15nC(典型值)
总功耗:45W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装:LFPAK8
1. 极低的导通电阻 RDS(on),有助于降低传导损耗,提升系统效率。
2. 快速开关特性,适用于高频应用环境。
3. 高电流承载能力,支持大功率负载。
4. 小尺寸封装,便于实现高密度电路设计。
5. 出色的热性能,能够在极端温度条件下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于组装。
7. 内置反向二极管功能,可有效防止电流倒流问题。
8. 支持多种保护机制,例如过温保护和短路保护,确保长期可靠运行。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. DC/DC 转换器的核心功率开关元件。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
6. LED 驱动电路中的高效功率传输。
7. 可再生能源领域(如太阳能逆变器)的功率处理部分。
ME6211A15M3G, IRF3710, AO6211