类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4.4A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：17.6A
　　功耗（Pd）：200mW
　　导通电阻（Rds(on)）：22mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ @ Vgs=4.5V
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V @ Id=250μA
　　输入电容（Ciss）：400pF @ Vds=15V
　　开关时间（开启）：10ns
　　开关时间（关闭）：25ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-23 (SC-59)
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　通道数：单通道

03NR-E2R(LF)具备优异的导通特性和快速开关响应能力，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了在导通状态下的功率损耗，从而提高了系统的整体能效。在Vgs=10V时，Rds(on)仅为22mΩ，在Vgs=4.5V时也仅达到28mΩ，这使得该MOSFET非常适合用于电池供电设备中的高效开关应用，如DC-DC转换器、负载开关和电机驱动电路。低Rds(on)还减少了发热，有助于提升系统可靠性并简化散热设计。
　　该器件的阈值电压范围为1.0V至2.5V，使其能够兼容3.3V或5V逻辑电平的微控制器直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了成本。此外，其栅极电荷较低，输入电容仅为400pF，有助于减少驱动电路的功耗，并实现更快的开关速度，适用于高频开关应用。
　　从可靠性角度看，03NR-E2R(LF)采用ROHM成熟的沟槽型MOSFET工艺制造，具有良好的热稳定性和抗静电能力（ESD保护性能良好）。其最大工作结温可达+150°C，支持在严苛环境下长期稳定运行。SOT-23封装虽然体积小巧，但经过优化设计，具备良好的散热性能，适用于自动化贴片生产，有利于提高生产效率和产品一致性。
　　此外，该器件符合RoHS和无卤素标准，满足现代电子产品对环保和可持续发展的要求。其无铅（Lead-Free）设计不仅符合全球环保法规，还能有效防止焊点因铅迁移导致的长期可靠性问题。综合来看，03NR-E2R(LF)是一款集高性能、小尺寸、低功耗和环保特性于一体的N沟道MOSFET，是中小功率开关应用的理想选择。

03NR-E2R(LF)适用于多种低电压、中等电流的开关和功率控制场合。常见应用包括便携式电子设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品中的电池充电管理与负载开关电路。在这些设备中，它可用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机或电源路径切换。
　　此外，该器件也广泛用于DC-DC升压或降压转换器中作为同步整流开关，利用其低Rds(on)特性减少能量损耗，提高转换效率。在LED驱动电路中，03NR-E2R(LF)可作为恒流调节或开关控制元件，实现对LED亮度的精确控制。
　　工业控制领域中，该MOSFET可用于驱动继电器、电磁阀、小型电机或传感器模块的电源控制，其快速响应能力和高可靠性确保了控制系统动作的准确性和稳定性。在通信设备和网络终端中，它可用于信号切换或多路电源选择电路。
　　由于其SOT-23封装体积小，特别适合空间受限的应用场景，如可穿戴设备、物联网节点、智能传感器等。同时，其良好的温度适应性也使其能在工业级温度环境中稳定工作。总之，凡是需要高效、小型化、低成本开关解决方案的设计，03NR-E2R(LF)都是一个非常实用的选择。

DMG2305UX-7
　　FDS6680A
　　AO3400A
　　SI2302CDS-T1-E3
　　BSS138K