时间：2025/12/27 15:59:49
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02ZR-3H-P是一款由Vishay Siliconix生产的P沟道TrenchFET功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率、低功耗应用设计。该器件封装在小型SOT-23（SC-59）表面贴装封装中，适用于空间受限的便携式电子设备。作为一款逻辑电平兼容的MOSFET，02ZR-3H-P能够在较低的栅极驱动电压下实现充分导通，通常可由3.3V或5V微控制器直接驱动，无需额外的电平转换电路。其主要优势在于低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度以及优异的热性能，使其在电池供电系统、电源管理模块和负载开关等应用中表现出色。该器件符合RoHS环保标准，并具备可靠的长期稳定性和抗应力能力，适合工业、消费类及便携式医疗设备等多种应用场景。
型号：02ZR-3H-P
制造商：Vishay Siliconix
器件类型：P沟道增强型MOSFET
封装类型：SOT-23 (SC-59)
最大漏源电压(VDS)：-20V
最大栅源电压(VGS)：±12V
最大连续漏极电流(ID)：-600mA (-0.6A)
最大脉冲漏极电流(IDM)：-1.8A
导通电阻(RDS(on)) @ VGS = -4.5V：≤ 0.4 Ω
导通电阻(RDS(on)) @ VGS = -2.5V：≤ 0.55 Ω
导通电阻(RDS(on)) @ VGS = -1.8V：≤ 0.75 Ω
栅极阈值电压(VGS(th))：-0.8V 至 -1.4V
输入电容(Ciss)：约 115 pF @ VDS=10V, VGS=0V
输出电容(Coss)：约 45 pF
反向传输电容(Crss)：约 10 pF
栅极电荷(Qg)：约 2.4 nC @ VGS=4.5V
最大功耗(PD)：300 mW
工作结温范围(TJ)：-55°C 至 +150°C
存储温度范围(Tstg)：-55°C 至 +150°C
02ZR-3H-P采用Vishay先进的TrenchFET技术，这种垂直沟槽结构显著提升了单位面积内的载流子迁移效率，从而实现了极低的导通电阻与优良的开关性能。其P沟道设计使其在高边开关应用中具有天然优势，特别是在电源反接保护、电池管理系统和负载切换电路中表现优异。由于其逻辑电平兼容性，在VGS=-2.5V时仍能保持较低的RDS(on)，确保了与现代低电压数字控制器的良好匹配。该器件具备出色的热稳定性，在高温环境下仍能维持稳定的电气特性，减少了因温度变化导致的性能漂移。此外，SOT-23封装不仅节省PCB空间，还通过优化引脚布局降低了寄生电感和电阻，提高了高频开关下的可靠性。器件内部经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环等，确保在恶劣工作条件下长期稳定运行。其低栅极电荷和输入电容有助于减少驱动损耗，提升整体系统能效。同时，该MOSFET具有较强的抗静电能力（ESD），典型HBM等级可达2kV以上，增强了在生产装配和现场使用中的鲁棒性。所有这些特性共同使得02ZR-3H-P成为高性能、小尺寸电源开关的理想选择。
值得注意的是，尽管该器件额定电流为-600mA，但在实际应用中需根据PCB散热条件合理评估其温升情况，避免超过最大结温限制。建议在高负载应用中增加适当的铜箔面积以改善散热性能。此外，其负压操作特性要求在栅极驱动设计时注意电压极性，防止误触发或损坏。总体而言，02ZR-3H-P凭借其紧凑尺寸、高效性能和高可靠性，广泛应用于各类对空间和能效有严格要求的电子产品中。
02ZR-3H-P广泛应用于需要小型化、低功耗和高效电源控制的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电池供电管理，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和蓝牙耳机等，用于实现电池充放电路径的通断控制或电源多路选择。在负载开关电路中，它能够有效隔离不同功能模块的电源域，降低待机功耗，延长电池续航时间。此外，该器件也适用于各种低电压直流电源系统的反向极性保护电路，防止因电池误插或电源反接造成后级电路损坏。在微控制器I/O扩展或GPIO驱动能力不足时，02ZR-3H-P可作为电平转换与功率驱动接口，控制LED指示灯、小型继电器或传感器模块的开启与关闭。工业手持设备、便携式医疗仪器（如血糖仪、体温计）以及无线传感器节点中也常采用此类器件进行电源轨切换和节能管理。由于其具备良好的高频响应能力，还可用于同步整流辅助电路或DC-DC转换器中的续流路径控制。在热插拔电路设计中，该MOSFET可用于实现平滑上电和浪涌电流抑制。总之，凡是需要小型封装、低导通损耗和逻辑电平驱动能力的P沟道开关场合，02ZR-3H-P均是一个可靠且高效的解决方案。
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"Si2301DS",
"FDMC86032",
"AO3401A",
"BSS84",
"ZXM61P02"
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