时间：2025/6/30 21:25:20
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GRT0335C1H181FA02D 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，属于沟槽型功率 MOSFET 系列。该型号主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
这款芯片采用先进的制造工艺，能够提供较低的导通电阻和高效率的开关性能，同时具备出色的热稳定性和可靠性。
型号：GRT0335C1H181FA02D
类型：N-Channel MOSFET
封装：TO-252(DPAK)
Vds（漏源电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：1.8mΩ
Id（连续漏极电流）：68A
Vgs(th)（栅极开启电压）：1.4V~2.4V
工作温度范围：-55℃ to +175℃
GRT0335C1H181FA02D 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可有效降低功耗，提高系统效率。
2. 高电流承载能力，支持高达 68A 的连续漏极电流。
3. 宽广的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，适合各种恶劣环境下的应用。
4. 小型化封装 TO-252(DPAK)，有助于节省 PCB 空间。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
6. 快速开关性能，减少开关损耗并提升动态响应速度。
7. 内置 ESD 保护功能，增强器件的抗静电能力。
GRT0335C1H181FA02D 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源适配器和充电器中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的高频开关元件。
3. 汽车电子中的负载开关和电机驱动控制。
4. 工业设备中的功率管理模块。
5. 消费类电子产品中的高效功率转换电路。
6. 多种需要低导通电阻和高电流处理能力的应用场景。
GRT0335C1H181FA02B, GRT0335C1H181FA02C
