02NR-E6S 时间：2025/12/27 16:35:06 阅读：9

02NR-E6S是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及各类开关电源系统中。该器件采用小型表面贴装封装（通常为SOT-23或类似小尺寸封装），具有低导通电阻、快速开关响应和高可靠性等特点，适用于空间受限且对效率要求较高的便携式电子设备。02NR-E6S的设计注重节能与热稳定性，在同类产品中具备良好的性价比和性能表现。其主要面向消费类电子产品、工业控制模块以及通信设备中的低电压控制电路。作为一款通用型MOSFET，它能够在较低的栅极驱动电压下实现高效导通，支持逻辑电平驱动，适合与微控制器或其他数字信号源直接接口使用。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。在实际应用中，用户需注意其最大额定值，避免超过漏源电压、持续漏极电流及功耗限制，以确保长期稳定运行。

参数

型号：02NR-E6S
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N-Channel MOSFET
　　封装类型：SOT-23 (SMT)
　　最大漏源电压（Vds）：60 V
　　最大连续漏极电流（Id）：100 mA
　　最大脉冲漏极电流（Id_pulse）：400 mA
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻Rds(on)：典型值 5.5 Ω @ Vgs=10V；7.0 Ω @ Vgs=4.5V
　　栅极阈值电压（Vth）：典型值 1.2 V，范围 0.8 ~ 2.0 V
　　输入电容（Ciss）：约 23 pF @ Vds=10V, f=1MHz
　　输出电容（Coss）：约 5 pF
　　反向恢复时间（trr）：不适用（无体二极管快速恢复要求）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　功耗（Pd）：200 mW（Ta=25°C）

特性

02NR-E6S具备优异的开关特性和稳定的电气性能，特别适合用于低功率开关应用。其核心优势之一是低栅极电荷（Qg）和低输入电容，使得在高频开关操作中能够显著降低驱动损耗，提高整体系统效率。这对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。该器件的阈值电压较低，可在1.2V左右开启，因此兼容多种逻辑电平信号，包括3.3V和5V微控制器输出，无需额外电平转换电路即可直接驱动。
　　另一个关键特性是其小型化封装设计。SOT-23封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，通过优化布局可有效传导热量。尽管其封装较小，但在合理设计的散热条件下仍能承受一定的瞬态功率负载。此外，该MOSFET具有较高的击穿电压裕度，60V的Vds额定值使其在常见的12V或24V系统中具备足够的安全余量，防止因电压尖峰导致损坏。
　　器件内部结构采用先进的沟槽型工艺制造，提升了载流子迁移率，从而降低导通电阻。虽然其绝对Rds(on)值相对于大功率MOSFET较高，但对于毫安级电流的应用而言已足够优秀。同时，该工艺增强了器件的抗噪能力和温度稳定性，在高温环境下仍能保持可靠的开关行为。所有材料均符合无铅焊接要求，支持回流焊工艺，适用于自动化贴片生产线。
　　在可靠性方面，02NR-E6S经过严格的测试验证，包括高温反偏（HTRB）、高压栅极应力（HVGS）和温度循环试验，确保在恶劣工作环境中长期稳定运行。此外，其寄生参数较小，减少了电磁干扰（EMI）风险，有利于EMC认证通过。总体来看，这款MOSFET是一款高性能、小体积、易于集成的理想选择，尤其适用于需要精密控制和节能设计的现代电子系统。

应用

02NR-E6S常用于各种低电流开关控制场景，例如便携式电子设备中的电源切换、LED指示灯驱动、传感器使能控制、电池管理系统中的充放电通路控制等。在通信模块中，可用于信号路径的选择或多路复用控制。由于其支持逻辑电平驱动，也广泛应用于微控制器I/O扩展后的负载驱动，如继电器、小型电磁阀或蜂鸣器的开关控制。此外，在DC-DC升压或降压电路中，可作为同步整流开关或辅助开关元件使用，提升转换效率。工业自动化设备中的隔离信号传输、光耦驱动电路中也可看到其身影。因其封装小巧，特别适合智能手机、智能手表、无线耳机、物联网终端等对空间高度敏感的产品设计。在测试测量仪器中，可用于自动校准电路中的模拟开关或基准源切换。总之，任何需要小型化、低功耗、高可靠性的N沟道MOSFET场合，02NR-E6S都是一个值得考虑的选项。