类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：600V
　　最大漏极电流（ID）：2A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤2.5Ω
　　栅极电压（VGS）：±30V
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

02N60H MOSFET具有多项优良特性，首先其600V的高耐压能力使其适用于高压电源系统，如AC-DC转换器和适配器。其次，其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。
　　此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，增强了系统的可靠性和寿命。封装形式通常为TO-220或类似的散热型封装，有助于提高散热效率，适应高功率应用场景。
　　02N60H还具有快速开关特性，能够支持高频开关操作，适用于高频开关电源设计。其栅极驱动电压范围较宽（±30V），便于与不同类型的驱动电路兼容，提高了设计的灵活性。

02N60H常用于各类电源管理系统，如开关电源（SMPS）、电池充电器和DC-DC转换器。在工业控制领域，该器件可用于电机驱动、继电器控制以及自动化设备的电源管理模块。
　　此外，该MOSFET也可用于LED照明驱动电路，提供高效稳定的电流控制。在家用电器中，如变频空调、洗衣机和电磁炉等产品，02N60H可作为关键的功率开关器件，实现高效能和低能耗的运行。
　　由于其高可靠性和宽温度范围，它也被广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、逆变器以及车身控制模块。

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　　 "FQP2N60C",
　　 "STP2N60K3",
　　 "IRFBC20",
　　 "2SK2143"
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