类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：1.0A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：4.0A
　　功耗（Pd）：50W（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤7.5Ω（@Vgs=10V, Id=500mA）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约600pF（@Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：约120pF（@Vds=25V）
　　反向恢复时间（trr）：典型值100ns
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃

01N60H具备出色的高压耐受能力，其600V的漏源击穿电压使其能够在市电整流后的高压母线上稳定运行，适用于AC-DC适配器、LED驱动电源和小型开关电源等场景。该MOSFET采用优化的元胞设计和场板结构，有效降低了单位面积上的电场集中，从而提升了器件的雪崩能力和长期可靠性。在导通状态下，其低Rds(on)特性减少了功率损耗，提高了能效表现，尤其在轻载和中等负载条件下优势明显。
　　该器件具有良好的热稳定性，得益于其使用的硅材料和封装工艺，能够在结温高达150℃的情况下持续工作，适合密闭空间或通风不良的应用环境。同时，01N60H的栅极电荷（Qg）较低，通常在20nC左右，这意味着驱动电路所需的能量较少，有利于简化驱动设计并降低驱动芯片的成本。较低的输入电容也有助于减少高频开关时的噪声干扰，提升EMI性能。
　　另一个显著特点是其快速的开关响应能力。从开启到完全导通的时间短，关断过程迅速，减少了交叉导通期间的能量损耗。这对于工作在数十kHz甚至上百kHz频率下的开关电源尤为重要。此外，集成的体二极管具有较快的反向恢复速度，避免了因反向恢复电荷过大而导致的电压尖峰和额外损耗，进一步增强了系统安全性。
　　01N60H还具备较强的抗浪涌能力，能够承受短时间内超过额定电流数倍的峰值电流，这在启动瞬间或负载突变情况下提供了额外保护。综合来看，这款MOSFET在性能、可靠性和成本之间取得了良好平衡，是中小功率开关电源中的理想选择之一。

01N60H广泛应用于各类中小功率开关电源系统中，如手机充电器、笔记本电脑适配器、家用电器内置电源模块等。在这些设备中，它通常作为主开关管使用，负责将高压直流电通过高频斩波方式传递至变压器初级侧，实现高效的能量转换。此外，该器件也常见于LED恒流驱动电路中，特别是在隔离式反激拓扑结构中担任功率开关角色，确保输出电流的稳定性与精度。
　　在工业控制领域，01N60H可用于继电器驱动、电磁阀控制和小型电机调速电路中，利用其高耐压和快速响应特性实现精确的功率控制。由于其具备一定的过载承受能力，因此在存在瞬态高压或电流冲击的环境中依然能够保持稳定运行。
　　在消费类电子产品中，例如电视、音响、路由器等设备的待机电源部分，01N60H因其低静态功耗和高转换效率而被广泛采用。这类应用要求电源在待机状态下尽可能减少能耗，同时保证主电路能够快速唤醒，01N60H的低驱动需求和高效开关特性正好满足这一需求。
　　此外，该器件还可用于光伏逆变器中的辅助电源、电子镇流器以及电池充电管理系统中，作为关键的功率切换元件。其标准化的TO-220封装便于手工焊接和自动化生产，适应多种制造流程。总体而言，01N60H凭借其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，在多个领域的电源管理方案中发挥着重要作用。

1N60G, 2N60, 3N60, 5N60, K2742, FQP1N60H