ZYE67F 时间：2025/12/28 7:54:37 阅读：9

ZYE67F是一款由上海贝岭（Belight Semiconductor）生产的高压MOS场效应晶体管，主要面向高效率电源转换应用。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具备优良的开关特性和导通电阻表现，适用于多种开关电源拓扑结构，如反激式、正激式、半桥及全桥等。ZYE67F特别针对AC-DC电源适配器、LED照明驱动电源、充电器以及工业电源模块进行了优化设计，在保证高可靠性的同时实现了良好的热稳定性和抗雪崩能力。该型号封装形式为TO-252（D-PAK），便于在中等功率应用中进行散热管理与PCB布局。作为一款N沟道增强型MOSFET，ZYE67F能够在较高的漏源电压下工作，适合600V以下的主电路应用环境。其设计注重降低开关损耗和导通损耗之间的平衡，有助于提升整体系统能效，并满足能源之星、IEC 61000等国际能效标准要求。此外，该器件还具备较强的dv/dt抗扰能力，可在恶劣电磁环境中保持稳定运行。

参数

型号：ZYE67F
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：650V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)@25℃：7A
　　脉冲漏极电流(Id,脉冲)：28A
　　导通电阻(Rds(on))@Vgs=10V：0.95Ω 欧姆
　　导通电阻(Rds(on))@Vgs=5V：1.2Ω 欧姆
　　阈值电压(Vth)：2.0~4.0V
　　输入电容(Ciss)：1100pF @ Vds=25V
　　输出电容(Coss)：350pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间(trr)：45ns
　　最大功耗(Pd)：50W
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252(D-PAK)

特性

ZYE67F具有多项优异的电气与物理特性，使其在中高功率开关电源应用中表现出色。首先，其650V的高耐压能力使其能够可靠地应用于离线式开关电源中，特别是在全球通用输入电压范围（85V~265V AC）条件下仍能保持足够的安全裕量。这有效防止了因瞬态过压或雷击浪涌引起的器件击穿问题，提升了系统的长期稳定性。
　　其次，该MOSFET具备较低的导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V时仅为0.95Ω，显著降低了导通状态下的功率损耗，从而减少发热并提高电源的整体转换效率。即使在Vgs=5V的驱动条件下，Rds(on)也控制在1.2Ω以内，说明其对控制器驱动能力的要求较低，兼容性强，适用于多种PWM控制IC输出级直接驱动。
　　再者，ZYE67F采用了优化的栅极结构设计，使得输入电容Ciss仅为1100pF，有助于减小驱动回路的能量消耗，并加快开关速度。同时，输出电容Coss为350pF，有利于降低关断过程中的能量损耗，进一步提升高频工作的效率表现。配合45ns的快速反向恢复时间trr，该器件在硬开关拓扑中可有效抑制体二极管反向恢复带来的尖峰电流和EMI干扰，提高系统EMC性能。
　　此外，该器件采用TO-252封装，具有良好的热传导性能和机械强度，支持表面贴装和通孔安装两种方式，适应不同生产需求。其最大功耗可达50W，结合适当的散热设计，可在持续负载条件下稳定运行。宽达-55℃至+150℃的工作结温范围，确保其在高温工业环境或密闭空间内依然具备出色的可靠性。最后，器件内部经过严格的质量控制和可靠性测试，符合RoHS环保要求，适合用于消费类电子、工业控制、LED照明等多种应用场景。

应用

ZYE67F广泛应用于各类需要高效、高可靠性的电源系统中。典型应用包括：中小功率AC-DC开关电源适配器（如笔记本电脑、路由器、智能家居设备电源），其中作为主开关管使用，实现高效的能量转换；LED恒流驱动电源，尤其适用于隔离式反激拓扑结构，提供稳定的电压/电流输出，保障LED灯具寿命和光效一致性；手机、平板等便携设备的充电器设计，凭借其低损耗和小型化封装优势，有助于实现高功率密度和轻薄化产品设计；工业开关电源模块，用于PLC、传感器供电、通信设备等领域，满足长时间连续运行和宽温工作要求；此外，还可用于DC-DC变换器、逆变电源、UPS不间断电源等电力电子设备中，作为核心开关元件参与能量传输与调控。由于其具备较强的抗干扰能力和温度稳定性，ZYE67F也适用于电磁环境复杂或散热条件受限的应用场合。