ZY1207G-T2 时间：2025/8/7 7:52:39 阅读：28

ZY1207G-T2 是一款由 Zetex（现为 Diodes 公司的一部分）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率、高频开关应用而设计，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等应用。其封装形式为 SOT-223，适合表面贴装工艺，具有良好的热性能和电气性能。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：7A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ @ Vgs=10V
　　导通阈值电压（Vgs(th)）：1.5V ~ 2.5V
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：SOT-223

特性

ZY1207G-T2 MOSFET 具有低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。其高电流承载能力（高达 7A）使其适用于中高功率应用。此外，该器件具有快速开关特性，适合用于高频开关电路，从而减小外部电感和电容的尺寸，提高整体系统集成度。
　　该 MOSFET 的 SOT-223 封装提供了良好的散热性能，能够在有限的空间内实现较高的功率密度。此外，其栅极驱动电压范围较宽（支持 4.5V 至 10V 驱动），可兼容多种驱动电路，包括低压控制器。
　　ZY1207G-T2 的设计还具有较高的耐用性和稳定性，能够在恶劣的工作环境下保持良好的性能。例如，其具备一定的雪崩能量耐受能力，适用于需要高可靠性的应用场景。此外，该器件符合 RoHS 环保标准，适用于现代电子产品制造。

应用

ZY1207G-T2 MOSFET 主要用于各种电源管理系统中，如同步整流、DC-DC 降压/升压转换器、电池充电电路、负载开关控制、电机驱动器以及各类便携式电子设备中的功率开关。由于其低导通电阻和良好的热性能，它也适用于要求高效率和紧凑设计的电源模块。
　　在工业自动化和电机控制领域，ZY1207G-T2 可用于构建 H 桥驱动电路，实现直流电机的正反转控制。在 LED 照明系统中，该器件可用于恒流驱动电路，提供稳定的光源输出。此外，在 UPS（不间断电源）、逆变器以及开关电源中，该 MOSFET 也常被用于主开关或同步整流部分，以提升整体效率和可靠性。