类型：双NPN晶体管阵列
　　封装/外壳：SOT-26
　　极性：NPN
　　集电极-发射极电压VCEO：100V
　　集电极-基极电压VCBO：100V
　　发射极-基极电压VEBO：5V
　　集电极电流IC：100mA
　　功率耗散PD：300mW
　　直流电流增益hFE：最小100（测试条件IC=10mA, VCE=2V）
　　过渡频率fT：150MHz
　　工作结温范围Tj：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

ZXTR1005K4-13具备出色的高频响应能力和稳定的直流增益特性，使其在模拟信号放大和数字开关应用中表现出色。其过渡频率fT高达150MHz，意味着该晶体管可以在较高频率下仍保持良好的电流放大能力，适用于射频前端、音频驱动或高速逻辑缓冲等场景。同时，其直流电流增益hFE在典型工作条件下可达到100以上，确保了即使在较小的基极驱动电流下也能实现有效的集电极电流控制，提高了系统的输入灵敏度和能效表现。
　　该器件采用SOT-26封装，是一种超小型六引脚表面贴装封装，相较于传统的SOT-23封装多出一个公共接地或屏蔽引脚，有助于改善热传导性能和电磁兼容性（EMC）。这种封装设计不仅节省PCB空间，还增强了器件在高频工作时的稳定性。此外，SOT-26封装支持全自动贴片生产线，提升了大规模制造的效率和一致性。
　　ZXTR1005K4-13的工作电压范围较宽，集电极-发射极电压可达100V，使其能够适应多种电源环境，包括电池供电系统和工业级电压平台。其最大集电极电流为100mA，足以驱动小型继电器、LED指示灯或MOSFET栅极等负载。功率耗散能力为300mW，在适当的散热条件下可长期稳定运行。器件的热关断保护机制虽未内置，但其+150°C的最大结温提供了足够的安全裕度，配合合理的PCB布局即可避免过热风险。
　　该晶体管阵列的两个NPN管相互独立，允许用户灵活配置为共射、共基或达林顿连接方式，满足不同的电路设计需求。例如，在需要更高增益的场合，可以将两个晶体管接成达林顿结构；而在需要隔离控制的系统中，则可分别用于不同通道的开关操作。此外，其低开启电压和快速开关响应时间减少了动态损耗，提升了整体系统效率。

ZXTR1005K4-13常用于各类中小功率电子系统中，特别是在需要紧凑布局和高效性能的场合。典型应用包括便携式消费电子产品中的LED背光驱动电路，利用其高增益特性实现亮度调节；在通信设备中作为信号放大器或缓冲级，处理来自微控制器的低电平信号并驱动后续负载；也可用于传感器接口电路，将微弱的感应信号进行初步放大后再送入ADC进行采样。
　　在工业控制领域，该器件可用于PLC输入输出模块的电平转换和光电耦合器驱动，实现高低压电路之间的安全隔离。其100V耐压能力使其适用于某些低压配电监控系统中的状态检测与反馈回路。此外，在电源管理系统中，它可以作为线性稳压器的调整管或用于电池充放电控制电路中的开关元件。
　　由于其SOT-26封装的小尺寸优势，ZXTR1005K4-13也广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等高度集成的移动终端中，承担按钮唤醒、电源管理、音频信号路由等功能。在汽车电子方面，虽然不直接用于高温引擎舱环境，但在车载娱乐系统、仪表盘显示驱动等相对温和的工作区域仍有应用潜力。总之，只要是在低至中等功率范围内需要可靠晶体管功能的场合，ZXTR1005K4-13都是一种值得考虑的选择。

ZXTR1005J4-13
　　MMBT2222A dual array (similar performance)
　　BC847BS
　　FMMT403