时间：2025/4/30 16:06:37
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ZXTP25020DFLTA 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和优异的开关性能。其小型化的封装形式使其非常适合于空间受限的应用场景，例如移动设备、消费类电子产品以及电信设备中的电源管理电路。
该器件具备出色的热稳定性和可靠性，能够在较宽的工作电压范围内保持高效运行，同时支持快速开关操作以降低能耗。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：20A
导通电阻：4.5mΩ
总栅极电荷：7.8nC
输入电容：960pF
反向传输电容：110pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可减少传导损耗，提高整体效率。
2. 高速开关性能适合高频 DC-DC 转换器和负载点转换应用。
3. 小尺寸封装（DFN5*6）有助于节省 PCB 空间。
4. 优秀的热稳定性确保在高温环境下的可靠运行。
5. 提供出色的浪涌能力，适用于严苛的电气条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
1. 移动设备中的电源管理模块。
2. 消费类电子产品的电池充电和保护电路。
3. 通信设备中的负载开关和功率放大器。
4. 工业控制系统的电机驱动和逆变器。
5. 高效 DC-DC 转换器和同步整流电路。
6. USB-PD 和快充解决方案中的关键开关元件。
ZXTP25020DFNTA, IRFZ44N, FDP5570N
