时间：2025/12/26 9:24:34
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ZXTP25020CFFTA是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造。该器件专为高效率、低导通电阻和快速开关性能而设计，适用于多种电源管理和功率控制应用。其封装形式为双扁平无引脚（DFN）2.5x2.5mm小型化封装，适合对空间要求严格的便携式电子设备。该MOSFET具备优良的热性能和电流处理能力，在电池供电系统中表现出色。ZXTP25020CFFTA通过优化栅极结构降低了栅极电荷，从而减少了开关损耗，提高了整体能效。此外，它还具有良好的抗雪崩能力和稳健的可靠性设计，能够在恶劣工作环境下稳定运行。由于采用了无铅和符合RoHS标准的材料工艺，该器件满足现代电子产品环保法规的要求。
型号：ZXTP25020CFFTA
通道类型：P沟道
最大漏源电压(VDSS)：-20V
最大栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID) @ 25°C：-4.6A
脉冲漏极电流(IDM)：-12A
导通电阻(RDS(on)) @ VGS = -4.5V：30mΩ
导通电阻(RDS(on)) @ VGS = -2.5V：40mΩ
栅极阈值电压(VGS(th))：-1V ~ -1.5V
输入电容(Ciss)：420pF @ VDS=10V
反向恢复时间(trr)：18ns
功耗(PD)：1.5W
工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
封装/外壳：DFN2525-6
ZXTP25020CFFTA的核心特性源于其基于TrenchFET技术的先进制程设计，这种垂直沟槽结构显著提升了单位面积下的载流子迁移效率，从而实现了极低的导通电阻与优异的开关响应速度。在VGS = -4.5V时，RDS(on)仅为30mΩ，这使得在大电流负载条件下功耗大幅降低，有助于提升系统整体能效并减少散热需求。该器件在低栅压驱动下仍具备良好导通能力，例如在VGS = -2.5V时RDS(on)为40mΩ，支持宽范围逻辑电平兼容驱动，适用于由3.3V或更低电压控制器直接驱动的应用场景。
其较小的输入电容（Ciss = 420pF）和快速的反向恢复时间（trr = 18ns）使其在高频开关电路中表现优异，能够有效减少开关延迟和动态损耗，特别适合用于同步整流、DC-DC转换器等高频拓扑结构。此外，该MOSFET具备较强的抗雪崩能量能力，增强了在瞬态过压或感性负载切换过程中的鲁棒性，提高了系统的长期稳定性。
DFN2525-6封装不仅体积小巧（2.5mm x 2.5mm），还具备出色的热传导性能，底部带有暴露焊盘，可通过PCB接地层高效散热，确保在高功率密度应用中保持较低的工作温度。该封装无引脚设计也有助于减少寄生电感，进一步改善高频性能。器件符合RoHS指令且不含卤素，适用于消费类电子产品、移动设备、笔记本电脑电源管理模块以及工业控制中的负载开关和电机驱动电路。
ZXTP25020CFFTA广泛应用于需要高效能、小尺寸功率开关的场合。典型用途包括便携式电子设备中的电池电源管理，如智能手机和平板电脑的电池保护电路，作为高边或低边开关控制充放电路径。在同步降压变换器中，它可作为上管或下管使用，尤其是在多相VRM架构中提供高效的能量转换。该器件也适用于负载开关电路，用于隔离不同功能模块的供电，以实现节能待机模式。此外，还可用于H桥电机驱动电路中的低端开关元件，驱动小型直流电机或步进电机。在适配器、USB PD电源模块及LED背光驱动电路中，该MOSFET凭借其低导通损耗和快速响应特性，有助于提高电源效率并减小整体方案尺寸。工业自动化传感器节点、智能电表和无线通信模块等对空间和功耗敏感的设计也是其重要应用领域。
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"ZXM62N03F",
"DMG2302U",
"SI2301DS",
"FDML86131",
"BSS84"
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