类型：P沟道
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大连续漏极电流（ID）：-1.8A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-4.6A
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = -4.5V：45mΩ
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = -2.5V：60mΩ
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = -1.8V：95mΩ
　　阈值电压（Vth）：-0.7V ~ -1.4V
　　输入电容（Ciss）：325pF
　　输出电容（Coss）：180pF
　　反向传输电容（Crss）：50pF
　　栅极电荷（Qg）：3.5nC
　　体二极管正向电压（VSD）：-0.9V
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

ZXTP25012EZTA采用先进的沟槽栅极MOSFET技术，这种结构通过在硅片上形成垂直的沟槽并沉积栅极材料，显著提高了单位面积内的沟道密度，从而有效降低了导通电阻RDS(on)，提升了器件的电流承载能力和效率。该器件在VGS = -4.5V时的典型RDS(on)仅为45mΩ，即使在较低的驱动电压如-2.5V下也能保持60mΩ的低阻状态，这使其非常适合应用于低压、低功耗系统中，例如由锂电池供电的移动设备。低导通电阻意味着更小的导通损耗，有助于减少发热，提高整体系统的能效。
　　此外，该器件具备快速开关能力，输入电容仅为325pF，栅极电荷Qg为3.5nC，这意味着它可以在高频开关应用中迅速响应控制信号，降低开关损耗，提升电源转换效率。其-1.8A的连续漏极电流能力足以驱动多种中小功率负载，如LED阵列、传感器模块或小型继电器。同时，该器件内置的体二极管可提供反向电流路径，增强电路可靠性，尤其在感性负载断开时起到续流作用，防止电压尖峰损坏其他元件。
　　热性能方面，SOT-23封装虽小，但经过优化设计可在有限空间内有效散热。器件的最大工作结温可达+150°C，并具备良好的热关断保护特性，确保在异常工况下仍能维持一定安全性。静电放电（ESD）防护能力也较强，能够承受一定程度的静电冲击，提升生产装配过程中的良率。总体而言，ZXTP25012EZTA以其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代电子产品中理想的功率开关解决方案。

ZXTP25012EZTA广泛应用于各类需要高效、紧凑型功率开关的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源管理，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池供电切换与负载开关控制。在这些设备中，它可用于启用或禁用特定功能模块（如显示屏背光、无线通信模块），以实现节能待机或动态电源分配。此外，该器件适用于直流-直流（DC-DC）转换器中的同步整流或高端开关配置，特别是在降压（Buck）拓扑结构中作为主控开关使用，利用其低RDS(on)特性减少能量损耗，提升转换效率。
　　在工业控制领域，该MOSFET可用于PLC输入输出模块、传感器供电控制及小型执行机构的驱动电路。其SOT-23封装便于自动化贴片生产，适合高密度PCB布局需求。在通信设备中，可用于接口电源隔离、热插拔保护电路或电源多路复用设计，确保系统稳定运行。此外，也可用于USB供电路径管理、充电器输出开关、电机驱动中的低端开关等应用场景。得益于其P沟道特性，无需复杂的栅极驱动电路即可实现高端开关功能，简化了设计复杂度并降低成本。对于需要符合环保标准的产品，该器件满足RoHS指令要求，不含铅和有害物质，适用于绿色电子产品开发。

ZXM61P02FTA
　　FDMC8202
　　AO3415
　　SI2301DS
　　BSS84