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ZXTP2014GTA 发布时间 时间:2025/5/8 19:30:32 查看 阅读:1

ZXTP2014GTA 是一款基于 N 治道技术的 MOSFET 功率晶体管,专为高频开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等场景。
  该型号是 TO-252 封装形式,能够在紧凑的空间内提供高效的功率转换性能。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻:5.5mΩ
  栅极电荷:17nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装类型:TO-252

特性

ZXTP2014GTA 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可以有效降低功耗,提高效率。
  2. 快速的开关速度减少了开关损耗,适用于高频操作。
  3. 提供优异的热性能,确保在高功率应用场景下的可靠性。
  4. 内置反向二极管,简化了电路设计并增强了功能集成度。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

该元器件主要应用于需要高效功率转换的场合,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
  2. 便携式设备中的负载开关控制。
  3. 工业自动化系统中的电机驱动电路。
  4. LED 驱动器及 DC-DC 转换模块。
  5. 电池管理系统中的保护和切换功能。

替代型号

IRFZ44N
  STP16NF06
  FDP5800

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ZXTP2014GTA参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)4A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)140V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)360mV @ 300mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 1A,5V
  • 功率 - 最大3W
  • 频率 - 转换120MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXTP2014GTR