类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压(VDS)：-20V
　　栅源电压(VGS)：+/- 8V
　　连续漏极电流(ID)：-1.7A
　　脉冲漏极电流(IDM)：-3.8A
　　导通电阻(RDS(on))：35mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：45mΩ @ VGS = -2.5V
　　导通电阻(RDS(on))：60mΩ @ VGS = -1.8V
　　阈值电压(VGS(th))：-0.65V ~ -1.0V
　　输入电容(Ciss)：270pF @ VDS=10V
　　反向传输电容(Crss)：50pF @ VDS=10V
　　输出电容(Coss)：250pF @ VDS=10V
　　开启时间(Td(on))：5ns
　　关断时间(Td(off))：15ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-23 (SC-59)
　　安装类型：表面贴装

ZXTP2014G采用先进的沟槽式MOSFET工艺，实现了极低的导通电阻，从而显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统效率。特别是在低电压应用中，如3.3V或5V电源轨，其RDS(on)在-4.5V VGS下仅为35mΩ，这意味着即使在较高负载电流下也能保持较低的温升，减少散热需求。这一特性对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间并提高能效比。
　　该器件具有较宽的栅源电压范围（±8V），提供了良好的电压耐受能力，避免因瞬态过压导致的栅极击穿风险。同时，其阈值电压典型值约为-0.8V，在-1.8V至-2.5V的栅极驱动条件下即可实现充分导通，支持与1.8V、2.5V或3.3V逻辑电平直接兼容，无需额外的电平转换电路。这种低门槛驱动能力极大简化了设计复杂度，降低了外围元件数量和成本。
　　ZXTP2014G的小型SOT-23封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热性能，结合适当的布局设计可有效传导热量。器件内部结构优化了寄生参数，输入电容仅为270pF，反向传输电容（Crss）低至50pF，有助于减少高频开关过程中的噪声耦合和振荡风险，提升开关速度和稳定性。快速的开启与关断时间（分别为5ns和15ns）使其适用于中等频率的开关应用，如DC-DC转换器同步整流、LED背光控制或热插拔保护电路。
　　此外，该MOSFET经过严格的质量测试，符合AEC-Q101汽车级可靠性标准（尽管非专门标称为车规型号），表现出较强的环境适应性和长期稳定性。其ESD防护能力较强，HBM模型下可达±2000V，增强了在生产装配和现场使用中的鲁棒性。整体而言，ZXTP2014G是一款集高性能、小尺寸和易用性于一体的P沟道MOSFET，适用于多种低电压、中等电流的开关与电源管理场合。

ZXTP2014G常用于各类便携式电子设备中的电源开关和负载控制，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品中的电池隔离与模块供电管理。其低导通电阻和逻辑电平驱动特性使其非常适合用于由微控制器GPIO直接控制的高端或低端开关电路，实现对外设模块的上电时序控制或节能待机功能。
　　在DC-DC转换器拓扑中，该器件可用于同步整流结构，替代传统肖特基二极管以降低压降和功耗，提升转换效率。尤其在反激式或降压型（Buck）变换器中作为续流或同步开关元件时表现良好。此外，它也可用于OR-ing二极管应用，防止反向电流流动，实现多电源路径选择与冗余供电管理。
　　工业与通信领域中，ZXTP2014G可用于传感器模块、I/O扩展板、USB电源开关、热插拔控制器等场景，提供快速响应的通断控制能力。其小型封装适合高密度组装，广泛应用于路由器、交换机、POS终端等设备中。在LED驱动电路中，可用于段位调光或背光使能控制，利用其快速开关特性实现精确的PWM调光。
　　由于其具备一定的电流承载能力和良好的热稳定性，ZXTP2014G还可用于电机驱动中的低边开关、继电器驱动或电磁阀控制等中小功率负载切换应用。总之，凡涉及低压、中等电流、需要高效且紧凑开关解决方案的设计，均可考虑采用ZXTP2014G作为核心开关元件。

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　　 "ZVP2106A",
　　 "FMMT718",
　　 "DMG2305UX",
　　 "AO3415",
　　 "SI2301DS"
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