时间：2025/12/26 9:20:40
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ZXTP19100CZTA是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道MOSFET晶体管，采用先进的TrenchFET技术制造。该器件专为高效率、低导通电阻和快速开关性能而设计，适用于多种电源管理和功率控制应用。其封装形式为SOT-23（也称为SC-59），是一种小型表面贴装封装，适合在空间受限的印刷电路板上使用。由于其优异的电气特性和紧凑的封装尺寸，ZXTP19100CZTA广泛应用于便携式电子设备、电池供电系统以及负载开关等场景中。
这款MOSFET具有较低的栅极电荷和米勒电容，有助于减少开关损耗，提升整体系统效率。同时，它具备良好的热稳定性与可靠性，在工业级温度范围内（-55°C至+150°C）均可稳定工作。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。ZXTP19100CZTA通常用于替代传统双极型晶体管或其它性能较弱的MOSFET，以实现更高的能效和更小的PCB占用面积。
类型：P沟道
极性：耗尽型
最大漏源电压（Vds）：-20V
最大栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：-4.1A @ 25°C
脉冲漏极电流（Idm）：-12A
导通电阻Rds(on)：37mΩ @ Vgs = -4.5V
导通电阻Rds(on)：48mΩ @ Vgs = -2.5V
阈值电压（Vgs(th)）：-1.0V ~ -2.0V
输入电容（Ciss）：450pF @ Vds=10V
输出电容（Coss）：190pF @ Vds=10V
反向传输电容（Crss）：50pF @ Vds=10V
开启延迟时间（td(on)）：6ns
关断延迟时间（td(off)）：15ns
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装/包装：SOT-23 (SC-59)
安装类型：表面贴装
ZXTP19100CZTA采用先进的TrenchFET工艺技术，这种结构能够显著降低导通电阻并提高单位面积下的电流承载能力。相比传统的平面型MOSFET，Trench结构通过垂直沟道设计优化了载流子流动路径，从而有效减小了Rds(on)，提升了功率转换效率。这对于电池供电设备尤为重要，因为它可以减少能量损耗，延长续航时间。该器件在Vgs = -4.5V时的典型Rds(on)仅为37mΩ，即使在较低驱动电压下也能保持良好性能，使其兼容3.3V或5V逻辑电平控制系统。
该MOSFET具有出色的开关特性，输入电容（Ciss）为450pF，反向传输电容（Crss）仅为50pF，这意味着其在高频开关应用中表现出色，能够有效降低开关过程中的能量损失。开启延迟时间仅6ns，关断延迟时间为15ns，确保了快速响应能力和高效动态控制。这些特性使其非常适合用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关及热插拔电路中。
ZXTP19100CZTA还具备良好的热性能，尽管其封装小巧，但通过优化芯片布局和封装材料，能够在有限的空间内有效散热。其最高工作结温可达+150°C，并支持宽泛的工作温度范围，适用于各种严苛环境下的应用。此外，该器件内置一定的静电放电（ESD）保护能力，增强了现场使用的鲁棒性。综合来看，这款P沟道MOSFET以其低导通电阻、高速开关、小封装和高可靠性，成为众多中低功率电源管理方案的理想选择。
ZXTP19100CZTA因其高效率和小尺寸封装，被广泛应用于各类消费类电子和工业控制设备中。常见用途包括便携式电子产品中的电源开关，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备，用作电池与主系统之间的负载开关，实现节能待机或安全断电功能。在这些应用中，其低导通电阻有助于最小化压降和发热，提升整体能效。
该器件也常用于DC-DC降压或升压转换器中作为高端或低端开关元件，特别是在非隔离式拓扑结构中，例如Buck转换器的同步整流部分。凭借其快速开关速度和低栅极电荷，能够显著降低开关损耗，提高电源转换效率。此外，它还可用于电机驱动电路、LED驱动电源以及USB电源管理模块中，提供可靠的功率控制能力。
在工业领域，ZXTP19100CZTA可用于传感器供电控制、继电器驱动接口以及热插拔电源管理单元。其SOT-23封装便于自动化贴片生产，适合大规模制造。由于其符合RoHS和无卤素标准，因此也适用于对环保要求较高的出口型产品。总体而言，该MOSFET适用于所有需要紧凑尺寸、高效功率切换和稳定可靠性能的应用场景。
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"ZXTP19100CFH",
"DMG2302UK",
"AO3401A",
"FDD8858",
"Si2301DS"
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