类型：P沟道
　　最大漏源电压(VDS)：-20V
　　最大连续漏极电流(ID)：-1.8A
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：-4.5A
　　最大栅源电压(VGS)：±12V
　　导通电阻(RDS(on))：35mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：50mΩ @ VGS = -2.5V
　　导通电阻(RDS(on))：90mΩ @ VGS = -1.8V
　　阈值电压(VGS(th))：-0.65V ~ -1.0V
　　输入电容(Ciss)：270pF @ VDS=10V
　　输出电容(Coss)：140pF @ VDS=10V
　　反向传输电容(Crss)：40pF @ VDS=10V
　　栅极电荷(Qg)：4.5nC @ VGS=4.5V
　　功耗(PD)：500mW
　　工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-723

ZXTP03200BGTA采用先进的沟槽型MOSFET工艺，这种结构能够在较小的芯片面积上实现更低的导通电阻，从而提高整体效率并减少功率损耗。该器件的关键优势之一是其出色的RDS(on)性能，即使在低栅极驱动电压下（如1.8V或2.5V）依然能够保持相对较低的导通电阻，这使得它非常适合用于电池供电系统中，有助于延长设备续航时间。例如，在移动设备的电源管理系统中，它可以作为负载开关来切断未使用模块的供电，以降低待机功耗。
　　该MOSFET具有快速开关能力，得益于其较小的栅极电荷（Qg）和低输入/输出电容，能够实现高频操作而不会显著增加开关损耗。这对于需要频繁启停或调制电源的应用（如DC-DC转换器、LED背光驱动等）尤为重要。同时，由于其寄生参数优化良好，EMI干扰也得到了有效控制，提升了系统的电磁兼容性。
　　热性能方面，尽管SOT-723是一种微型表面贴装封装，但通过合理的PCB布局（如添加散热焊盘和大面积铜箔连接），可以有效提升其散热能力，确保在高负载条件下仍能安全运行。此外，该器件具备较强的抗雪崩能力和稳健的ESD保护设计，增强了在实际应用中的鲁棒性。其负向阈值电压适中，避免了因噪声引起的误触发问题，提高了系统稳定性。
　　总体而言，ZXTP03200BGTA凭借其小型化、高效能和高可靠性的特点，成为众多低压电源管理应用的理想选择，尤其适用于追求极致空间利用率和能效比的设计方案。

ZXTP03200BGTA广泛应用于各类低电压、小电流的电源控制场合。常见用途包括便携式电子设备中的电源开关，例如智能手机和平板电脑中用于控制外设模块（如摄像头、Wi-Fi模块）的供电通断，以实现动态电源管理与节能目的。此外，它也可作为电池供电系统的反向极性保护开关，防止因电池安装错误导致的损坏。
　　在DC-DC转换电路中，该器件可用于同步整流或高端开关配置，特别是在轻载条件下表现出优异的效率。其低静态电流特性使其适用于待机模式下的电源隔离，帮助系统满足严格的能耗标准。在LED照明驱动电路中，它可以作为简单的开关元件用于调节亮度或实现开/关控制。
　　工业和通信领域中，ZXTP03200BGTA可用于信号切换或多路复用器中的模拟开关组件，尤其是在需要低导通电阻和快速响应时间的场景下表现突出。此外，由于其符合AEC-Q101的部分应力测试要求，也可用于汽车电子中的非关键性电源管理功能，如车载信息娱乐系统的子模块供电控制。
　　总之，该器件适用于任何需要小型化、低功耗、高集成度电源开关解决方案的设计，特别适合空间受限且对效率有较高要求的应用环境。

DMG2302UK-7
　　ZXM61P02E6TA
　　FDMS7682