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ZXTN5551GTA 发布时间 时间:2025/12/26 8:31:23 查看 阅读:10

ZXTN5551GTA是一款由Diodes Incorporated生产的NPN双极性晶体管(BJT),采用SOT-23(SC-59)小型表面贴装封装,适用于高电压开关和放大应用。该器件是通用型高频NPN晶体管,设计用于在高达300V的集电极-发射极电压下工作,具备良好的电流增益和开关特性,适合在电源管理、逆变器、LED驱动以及高压控制电路中使用。ZXTN5551GTA具有低饱和压降、高击穿电压和优良的热稳定性,能够在恶劣环境条件下可靠运行。其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的印刷电路板设计,广泛应用于消费类电子、工业控制和通信设备中。该晶体管符合RoHS环保标准,并通过了无卤素认证,满足现代电子产品对环保与可靠性的双重需求。

目录

参数

类型:NPN
  集电极-发射极电压(VCEO):300V
  集电极-基极电压(VCBO):300V
  发射极-基极电压(VEBO):6V
  集电极电流(IC):100mA
  功率耗散(PD):300mW
  直流电流增益(hFE):40 - 200 @ IC = 2mA
  过渡频率(fT):100MHz
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23 (SC-59)

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ZXTN5551GTA参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)160V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)200mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 10mA,5V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换130MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXTN5551GTR