时间：2025/6/22 5:51:32
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ZXTN3035CLP-7B 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热稳定性。其封装形式为 CLP（紧凑型引线框封装），适合于需要高效能和小型化的应用场合。这款 MOSFET 通常用于电源管理电路、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：16A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：45nC
输入电容：1850pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：CLP-7B
ZXTN3035CLP-7B 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力，支持大功率应用。
3. 快速开关性能，减少开关损耗。
4. 优异的热稳定性和可靠性，适用于苛刻的工作环境。
5. 小型化封装设计，节省 PCB 空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子设备中。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电池管理系统 (BMS) 中的保护和控制电路。
3. 各类负载开关和电子保险丝。
4. 电机驱动和逆变器模块。
5. 工业自动化设备中的功率级控制。
6. 汽车电子系统中的电源管理和驱动电路。
ZXTN3035CLP-7B 凭借其卓越的性能，在高效率、高可靠性的应用场景中表现尤为突出。
ZXTN3035CLP-7H, IRF3710, FDP5500
