型号：ZXTN26020DMFTA
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大连续漏极电流（ID）：1.9A @ 25°C
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：6.8A
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：26mΩ @ VGS = 4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：33mΩ @ VGS = 2.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：0.6V ~ 1.2V
　　栅极电荷（Qg）：2.3nC @ VDS = 10V, ID = 1.9A
　　输入电容（Ciss）：170pF @ VDS = 10V
　　功率耗散（Ptot）：350mW
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　通道数：单通道

ZXTN26020DMFTA采用了先进的TrenchFET沟道技术，这种结构通过在硅衬底上构建垂直的沟槽栅极来显著提升单位面积下的载流子迁移率，从而实现更低的导通电阻和更高的电流处理能力。该器件在VGS为4.5V时，RDS(on)典型值仅为26mΩ，在2.5V驱动电压下也仅达到33mΩ，这使其非常适合用于由3.3V或更低电压逻辑信号直接驱动的应用场合，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了整体成本。低RDS(on)不仅减少了导通状态下的功率损耗，还有助于提高系统的整体能效，延长电池供电设备的工作时间。
　　该MOSFET的阈值电压范围为0.6V至1.2V，确保了可靠的开启控制，同时避免因噪声干扰导致的误触发。其输入电容Ciss仅为170pF，结合低栅极电荷Qg（2.3nC），使得开关速度非常快，能够有效降低开关过程中的能量损耗，适用于高频开关电源、DC-DC转换器和负载开关等对响应速度有较高要求的应用。此外，快速的开关特性也有助于减小外围滤波元件的尺寸，进一步缩小整体解决方案的体积。
　　SOT-23封装是一种小型表面贴装封装，尺寸仅为2.9mm x 1.3mm x 1.1mm，极大节省了PCB空间，特别适合高密度集成的便携式电子产品。尽管封装小巧，但其热性能经过优化设计，能够在适当的PCB布局下有效散热，满足大多数中低功率应用的需求。该器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，保证了在极端环境条件下的稳定运行，适用于工业级和消费类多种应用场景。同时，产品符合RoHS指令且为无卤素材料构成，体现了环保设计理念。

ZXTN26020DMFTA广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和智能手表中，它常被用作电源路径管理中的负载开关，用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能待机或系统复位等功能。其低导通电阻和快速响应能力有助于减少静态功耗和动态损耗，延长设备续航时间。
　　在电池供电系统中，例如蓝牙耳机、移动电源和无线传感器节点，该MOSFET可用于电池充放电回路的通断控制或作为反向电流阻断器件，防止电流倒灌损坏充电管理IC。由于其支持逻辑电平驱动，可直接由微控制器GPIO引脚控制，无需额外驱动电路，简化了硬件设计。
　　在DC-DC转换器特别是降压型（Buck）拓扑中，ZXTN26020DMFTA可用作同步整流开关，替代传统肖特基二极管，大幅降低传导损耗，提升转换效率。虽然其电流能力有限，但在轻载或中等负载的小功率电源中表现优异。
　　此外，该器件还适用于LED驱动电路中的开关控制、热插拔保护电路、电机驱动中的低端开关以及各类模拟开关应用。在工业控制系统中，可用于I/O扩展模块的电源切换或传感器供电管理。其高可靠性与小型封装也使其适用于汽车电子中的非动力总成类低压应用，如车载信息娱乐系统的内部电源管理。总之，凡是对空间、效率和响应速度有要求的低电压、中低电流开关场景，ZXTN26020DMFTA都是一个极具竞争力的选择。

DMG2302UK-7
　　FDC6300L