时间：2025/8/2 7:46:44
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ZXTN25040DFLTA 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，具有低导通电阻（RDS(on)）和优良的热性能。ZXTN25040DFLTA 采用 DFN2020 封装，体积小巧，适合用于空间受限的设计中。该 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电源管理模块等领域。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：6.7A
导通电阻（RDS(on)）：32mΩ（典型值）
阈值电压（VGS(th)）：1.5V（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：DFN2020
ZXTN25040DFLTA MOSFET 具有多个显著特性，使其在电源管理和功率转换应用中表现出色。首先，该器件具有较低的导通电阻（RDS(on)），典型值为 32mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该 MOSFET 的漏源电压（VDS）为 30V，连续漏极电流（ID）为 6.7A，适用于中等功率的开关应用。
此外，ZXTN25040DFLTA 采用 DFN2020 小型封装，具有良好的散热性能，适用于高密度 PCB 设计。其栅源电压（VGS）范围为 ±20V，具备较强的抗过压能力，提高了器件的可靠性。阈值电压（VGS(th)）最大为 1.5V，使其适用于低电压驱动电路，能够与常见的 PWM 控制器兼容。
ZXTN25040DFLTA 主要应用于需要高效能、小体积 MOSFET 的电源管理系统。例如，它常用于 DC-DC 转换器中作为主开关器件，以提高转换效率并减少热量产生。在电池管理系统中，该 MOSFET 可用于充放电控制和保护电路，确保电池安全运行。此外，ZXTN25040DFLTA 还适用于负载开关、电源管理模块、LED 照明驱动电路以及便携式电子设备中的功率开关控制。
Si2302DS, BSS138, FDV303N, AO3400A
