时间：2025/8/2 7:49:17
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ZXTN2007ZTA 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种电源管理应用中。该器件采用先进的 Trench 工艺技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关性能，适合用于负载开关、DC-DC 转换器和电机控制等场合。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：4.7A
导通电阻 Rds(on)：最大 28mΩ @ Vgs=4.5V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-223
ZXTN2007ZTA MOSFET 具有多个显著的技术特性，首先是其低导通电阻，最大值为 28mΩ，在 Vgs=4.5V 的条件下，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件的漏源电压为 20V，能够满足低压电源管理系统的需求，同时具备较高的电流处理能力，其连续漏极电流可达 4.7A。
其次，ZXTN2007ZTA 采用了先进的 Trench 工艺技术，使得器件在保持低 Rds(on) 的同时具备优异的开关特性，适用于高频开关应用。其栅源电压范围为 ±12V，确保在不同工作条件下器件的稳定运行。
此外，该 MOSFET 使用 SOT-223 封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适合用于空间受限的 PCB 设计。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，确保在各种环境条件下都能可靠运行。由于其高可靠性和高性能，ZXTN2007ZTA 被广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等领域。
ZXTN2007ZTA 主要用于以下几种应用：电源管理系统中的负载开关控制、DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制电路以及电池供电设备中的高效功率开关。由于其低导通电阻和高电流能力，它也适用于需要高效能和低损耗的场合，如便携式电子设备和工业控制系统。
Si2302DS, FDS6675, NDS355AN, IRF7309
