时间：2025/8/2 8:24:43
阅读：33
ZXTN19055DZTA 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高效率电源管理和开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高电流能力，使其在功率转换和负载开关等应用中表现出色。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：55A（在 Vgs=10V）
导通电阻（Rds(on)）：约 0.018Ω（在 Vgs=10V）
功率耗散（Ptot）：100W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
ZXTN19055DZTA MOSFET 采用先进的沟槽技术，提供非常低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。该器件具有高电流承载能力，适合处理大电流负载。
此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持从 4.5V 到 20V 的工作电压，兼容标准逻辑电平驱动器，便于设计和集成。其高耐用性和热稳定性使其适用于各种严苛环境下的应用。
封装方面，ZXTN19055DZTA 通常采用 DPAK 或类似的表面贴装封装，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。这种封装形式也便于自动化生产和 PCB 布局。
ZXTN19055DZTA MOSFET 主要应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中。其低导通电阻和高电流能力使其在高效电源转换系统中表现出色，特别是在需要高可靠性和高性能的场合。
在电源管理领域，该器件可用于同步整流、电源开关和功率因数校正（PFC）电路。在电机控制应用中，它能够有效地控制电机的启停和调速。此外，ZXTN19055DZTA 也适用于电池供电设备中的负载切换和保护电路。
IPD180N10N3 G、IRF1405、SiR190DP、ZXMHC6105C8TC
