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ZXTD3M832TA 发布时间 时间:2023/9/15 17:52:11 查看 阅读:158

类别:分离式半导体产品

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概述

类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 阵列
晶体管类型:2 PNP(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):370mV @ 250mA, 2.5A
电流 - 集电极截止(最大):25nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):60 @ 1.5A, 2V
功率 - 最大:1.7W
频率 - 转换:190MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-MLP
包装:带卷 (TR)
其它名称:ZXTD3M832TA-ND

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ZXTD3M832TA参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列-
  • 晶体管类型2 PNP(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)370mV @ 250mA,2.5A
  • 电流 - 集电极截止(最大)25nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)60 @ 1.5A,2V
  • 功率 - 最大1.7W
  • 频率 - 转换190MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-MLP
  • 供应商设备封装8-MLP(3x2)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXTD3M832TA-ND