型号：ZXT690BKQTC
　　类型：P沟道MOSFET
　　封装：SOT-363 (SC-88)
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大连续漏极电流（ID）：-600mA（@ VGS = -4.5V）
　　导通电阻RDS(on)：500mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　导通电阻RDS(on)：600mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.5V
　　栅极电荷（Qg）：典型值3.3nC（@ VDS = -10V, ID = -300mA）
　　输入电容（Ciss）：典型值75pF（@ VDS = -10V）
　　反向恢复时间（trr）：不适用（P沟道，体二极管用于箝位）
　　功率耗散（PD）：500mW（@ TA = 70°C）
　　热阻结到环境（RθJA）：250°C/W
　　热阻结到外壳（RθJC）：100°C/W
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（<=30°C / 85% RH）
　　引脚数：6
　　极性：P-Channel Enhancement Mode

ZXT690BKQTC采用先进的TrenchFET技术，这项技术通过在硅片上构建垂直沟道结构，显著提升了单位面积内的载流子迁移率，从而实现了更低的导通电阻和更高的电流密度。这种结构优化使得器件在保持小型封装的同时仍能提供优异的电气性能。该MOSFET的低RDS(on)特性是其核心优势之一，尤其是在-4.5V和-2.5V的栅极驱动条件下，分别可达到500mΩ和600mΩ的导通电阻水平，这对于降低导通损耗至关重要。在便携式设备如智能手机、平板电脑或可穿戴设备中，电源效率直接影响电池续航时间，因此低RDS(on)有助于延长使用时间。
　　另一个关键特性是其1.8V栅极驱动兼容性，这意味着ZXT690BKQTC可以由现代低电压数字控制器或微处理器直接驱动，无需额外的电平转换电路。这不仅简化了系统设计，还减少了外围元件数量，从而节省PCB空间并降低成本。此外，该器件具有较低的栅极电荷（Qg），典型值仅为3.3nC，在高频开关应用中能够有效减少驱动损耗，提升整体能效。输入电容Ciss仅为75pF左右，也有助于加快开关速度，减少开关延迟和上升/下降时间。
　　ZXT690BKQTC的阈值电压范围为-0.8V至-1.5V，确保了器件在不同工作条件下的稳定开启特性。较窄的阈值电压分布有助于提高批量生产中的一致性和可靠性。同时，该器件具备良好的热稳定性，其热阻结到环境为250°C/W，在自然对流条件下即可实现有效的热量散发。SOT-363封装虽然体积小巧（仅2mm x 2mm x 0.9mm），但经过优化设计，能够在有限空间内维持可靠的工作温度。此外，该器件符合RoHS指令且不含卤素，满足环保要求，适用于消费类电子产品的大规模量产。

ZXT690BKQTC因其P沟道特性、小型封装和低电压驱动能力，广泛应用于多种低功耗和便携式电子系统中。其中一个典型应用场景是作为负载开关，用于控制电源路径的通断。例如，在多电源域的嵌入式系统中，该MOSFET可用于启用或禁用特定模块（如传感器、无线通信单元或显示屏）的供电，从而实现动态电源管理，降低待机功耗。其快速响应能力和低静态电流特性使其非常适合这类间歇性工作的电路。
　　在电池供电设备中，ZXT690BKQTC常被用于电池反接保护或电源切换电路。当主电源与备用电池之间需要自动切换时，该器件可作为理想二极管使用，防止电流倒灌，同时减少传统肖特基二极管带来的压降损耗。相比传统二极管方案，MOSFET方案能显著提升效率，特别是在大电流或长时间运行的应用中效果更为明显。
　　此外，该器件也适用于DC-DC转换器中的同步整流或高端开关配置。尽管P沟道MOSFET通常不如N沟道在效率上占优，但在某些低压、低功率的降压拓扑中，使用P沟道作为高端开关可以省去复杂的自举电路或驱动器，简化设计复杂度。尤其在输入电压较低（如3.3V或5V系统）的情况下，ZXT690BKQTC的1.8V逻辑兼容性使其成为理想的集成解决方案。
　　其他应用还包括电机驱动中的H桥低端开关、LED背光调光控制、USB端口电源管理以及各种需要小型化和高集成度的模拟开关电路。由于其封装尺寸小且支持高密度贴装，适合用于空间受限的可穿戴设备、物联网终端和微型传感器节点等前沿产品中。

ZXMP690DKS8TA
　　DMG2302UK-7
　　FDC630P