型号：ZXT13P40DE6
　　类型：P沟道MOSFET
　　封装类型：Power-SO8
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　最大漏源电压(VDS)：-40V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID) @ 25°C：-13A
　　连续漏极电流(ID) @ 100°C：-9.3A
　　脉冲漏极电流(IDM)：-45A
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS = -10V：7.5mΩ
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS = -4.5V：9.5mΩ
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS = -2.5V：13mΩ
　　阈值电压(VGS(th))：-1.2V ~ -2.2V
　　输入电容(Ciss)：2430pF @ VDS=20V
　　输出电容(Coss)：750pF @ VDS=20V
　　反向恢复时间(trr)：32ns
　　栅极电荷(Qg) @ VGS=10V：55nC

ZXT13P40DE6采用了先进的TrenchFET工艺技术，这种结构能够显著降低导通电阻RDS(on)，从而提升器件在大电流条件下的能效表现。其典型的RDS(on)在-10V栅极驱动下仅为7.5mΩ，即使在较低的-4.5V驱动条件下也能保持9.5mΩ的低阻值，这使得它非常适合用于同步整流和高效DC-DC转换器设计中。该器件的低RDS(on)特性有效减少了传导损耗，提升了系统的整体效率，尤其在电池供电设备中可以延长续航时间。
　　该MOSFET具备优良的开关性能，输入电容Ciss为2430pF，输出电容Coss为750pF，在高频开关应用中表现出较小的驱动功率需求和较快的响应速度。同时，其栅极电荷Qg在10V驱动时仅为55nC，意味着控制器所需的驱动能量较少，有利于简化驱动电路设计并降低功耗。此外，该器件的反向恢复时间trr为32ns，表明体二极管具有较快的恢复能力，可在桥式电路或感性负载切换过程中减少反向电流冲击，提升系统稳定性。
　　ZXT13P40DE6采用Power-SO8封装，不仅体积小巧，还具备良好的散热性能。封装底部设有裸露焊盘，可通过PCB上的接地层实现高效的热传导，帮助将芯片工作时产生的热量迅速散发出去，从而提高长期运行的可靠性和寿命。该封装兼容标准SMT生产工艺，便于自动化装配，适合大规模生产应用。
　　该器件的工作结温范围可达+150°C，保证了在高温环境下的稳定运行能力。其阈值电压范围为-1.2V至-2.2V，支持逻辑电平驱动，可直接由常见的3.3V或5V控制器驱动，无需额外的电平转换电路。综合来看，ZXT13P40DE6是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET，适用于多种电源管理场景，尤其适合追求小型化与高效率的设计需求。

ZXT13P40DE6广泛应用于各类需要高效电源转换和精确开关控制的电子系统中。常见用途包括同步降压转换器中的高端或低端开关，尤其是在采用P沟道作为高端开关的非隔离型DC-DC变换器中，因其无需自举电路即可实现完全导通而受到青睐。该器件也常用于负载开关电路中，用于控制电源路径的通断，例如在笔记本电脑、平板电脑和智能手机中管理不同功能模块的供电，以实现节能待机或热插拔保护。
　　在电池管理系统（BMS）中，ZXT13P40DE6可用于电池充放电控制回路，凭借其低导通电阻和高电流承载能力，能够有效减少能量损耗并防止过热问题。此外，该MOSFET还可用于电机驱动电路中，特别是在小功率直流电机或步进电机的H桥驱动拓扑中作为开关元件，提供快速响应和低功耗操作。
　　工业控制领域也是其重要应用场景之一，如PLC模块、传感器供电单元、继电器替代电路等，利用其高可靠性和宽温度工作范围适应严苛的工业环境。同时，在LED驱动电源、USB充电端口过流保护、热插拔控制器以及逆变器等电力电子设备中，ZXT13P40DE6均能发挥出色的性能表现。得益于其符合RoHS和无卤素要求，该器件也适用于对环保有严格规范的消费类电子产品出口市场。

ZXM61P04DN8TA
　　 FDMC8878
　　 AO4491
　　 SI7698DP
　　 FDN360P