ZXRE160H5TA 时间：2025/12/26 10:11:33 阅读：10

ZXRE160H5TA是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用小型SOT-23（SC-59）封装，适用于便携式电子设备中的电源管理和负载开关应用。该器件设计用于在低电压和低电流条件下高效工作，具有较低的导通电阻和快速的开关响应能力，能够有效降低功耗并提高系统效率。ZXRE160H5TA通过优化栅极结构和工艺技术，实现了良好的热稳定性和可靠性，适合在紧凑型电子产品中替代传统三极管或更大尺寸的MOSFET。该器件符合RoHS环保要求，并具备无卤素（Halogen-free）特性，满足现代电子制造对环境友好材料的需求。由于其小型化封装和高性能表现，ZXRE160H5TA广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、物联网终端以及各类电池供电系统中，作为高端开关、电平转换器或电源路径控制元件。

参数

类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-700mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：-1.4A
　　导通电阻RDS(on)：最大值450mΩ（VGS = -4.5V）
　　导通电阻RDS(on)：最大值550mΩ（VGS = -2.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值-0.9V，范围-0.6V至-1.3V
　　输入电容（Ciss）：约120pF
　　输出电容（Coss）：约60pF
　　反向传输电容（Crss）：约15pF
　　开启延迟时间（td(on)）：约5ns
　　关断延迟时间（td(off)）：约10ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23 (SC-59)

特性

ZXRE160H5TA具备优异的电气性能与热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与低阈值电压的结合，使得器件在低电压逻辑控制下仍能实现高效的电源切换。该MOSFET的RDS(on)在VGS = -4.5V时典型值仅为450mΩ，在轻载条件下显著减少功率损耗，提升整体能效。同时，其阈值电压范围合理（-0.6V至-1.3V），确保在数字信号为3.3V或1.8V等常见逻辑电平时可靠开启，避免误触发或驱动不足的问题。
　　该器件采用先进的沟槽式MOSFET工艺，增强了载流子迁移率，提高了单位面积下的电流承载能力。此外，SOT-23封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，通过优化引脚布局和内部连接方式，降低了寄生电感与电阻的影响，提升了高频开关下的稳定性。ZXRE160H5TA还具有出色的抗静电能力（HBM ESD Rating ≥ 2kV），增强了在装配和使用过程中的可靠性。
　　在动态特性方面，ZXRE160H5TA拥有较快的开关速度，开启延迟时间约为5ns，关断延迟时间约为10ns，适合用于需要频繁启停的电源管理场景，如自动休眠模式下的负载断开。其输入、输出电容较小，有助于减少驱动电路的功耗，并降低电磁干扰（EMI）。器件在整个工作温度范围内（-55°C至+150°C）保持稳定的电气参数，适应工业级和消费类应用的严苛环境要求。

应用

ZXRE160H5TA主要用于低压直流电源控制系统中，典型应用场景包括电池供电设备中的电源开关、热插拔保护电路、负载开关模块以及电平移位器。在移动设备中，它常被用作显示屏背光控制、传感器模块供电管理或外设电源隔离，实现按需供电以延长续航时间。此外，该器件也适用于USB端口的过流保护和电源路径选择，配合控制器实现智能电源分配。
　　在便携式医疗设备、智能手表、TWS耳机等高度集成的产品中，ZXRE160H5TA凭借其小尺寸和高可靠性成为理想的开关元件。它还可用于FPGA或微处理器的辅助电源排序控制，确保各电压域按正确顺序上电与断电，防止闩锁效应。在消费类电子产品中，该MOSFET广泛应用于LED驱动电路、音频放大器偏置控制及电池充电管理系统的通断控制环节，提供安全可靠的半导体开关解决方案。